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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SSL33HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl33hr7g -
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C100P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c100p mhg -
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
ES1LJHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1ljhr3g -
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1L Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
S12GC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S12GC V7G -
RFQ
 ECAD 8334 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
2M39Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m39z 0.1580
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m39 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 29.7 V 39 V 30 ohmios
MBR6050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6050PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 60A 930 MV @ 60 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR440 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440 B0G -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur440 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5357 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5357 V7G -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5357V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 15.2 V 20 V 3 ohmios
MTZJ5V6SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v6sb 0.0305
RFQ
 ECAD 5516 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ5V6SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 V 60 ohmios
SR103 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR103 R0G -
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR103 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMA4760H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4760h 0.1156
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4760 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
TSZU52C5V1 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V1 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 1719 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 800 MV 5.1 V 60 ohmios
1N5397GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397GHA0G -
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5397 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
SR1203HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203HR0G -
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR1203 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 12 A 500 µA @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 12A -
BZV55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C8V2 0.0333
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
SR003 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003 R0G -
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR003 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
F1T5GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1t5gha1g -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t5 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SRAF530HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530HC0G -
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF530 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
KTC3198-Y B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y B1G -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
MUR160H Taiwan Semiconductor Corporation MUR160H 0.1455
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial MUR160 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
1N5393GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393GHR0G -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5393 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
MBRF3035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3035CTHC0G -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF3035 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 30A 820 MV @ 30 A 200 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA5927H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5927H 0.1004
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5927 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
MBRF7150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF7150 C0G -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF7150 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.02 v @ 7.5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
SFT15GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft15gha1g -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT15 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SR309HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr309hb0g -
RFQ
 ECAD 4621 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR309 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1PGSMB5937 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5937 R5G -
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5937 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
SS34 Taiwan Semiconductor Corporation Ss34 0.1983
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss34 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
FR305G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR305G A0G -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR305 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
HER601G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER601G A0G -
RFQ
 ECAD 9364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial HER601 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 6 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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