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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MBRF16100 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16100 -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBRF16100 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 16 A 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SFT12GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft12gha1g -
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT12 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
TSZU52C4V3 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C4V3 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 95 ohmios
MBRF2035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CTHC0G -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2035 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF33GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHB0G -
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF33 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
1N4743A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743A R1G -
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4743 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 32.7 V 13 V 70 ohmios
SF36G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF36G A0G 0.3380
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF36 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856B RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
1N5238B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5238B A0G -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5238 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
2M14Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M14Z B0G -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M14 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 10.6 V 14 V 5.5 ohmios
S8KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8KC R7G -
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8KC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
ES1D Taiwan Semiconductor Corporation ES1D 0.0869
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
S5KB Taiwan Semiconductor Corporation S5KB 0.1414
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
SRA840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sra840hc0g -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA840 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
AZ23C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C6V2 0.0786
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C6V2TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
SF801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF801GHC0G -
RFQ
 ECAD 6329 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF801 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 70pf @ 4V, 1MHz
2M110Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M110Z A0G -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M110 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 83.6 V 110 V 250 ohmios
1N4750A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4750A A0G -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4750 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
ZM4748A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4748a 0.0830
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4748 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4748ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
BZX85C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 A0G -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 12 V 16 V 15 ohmios
1SMB5939 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5939 0.1453
RFQ
 ECAD 9380 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5939 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 29.7 V 39 V 45 ohmios
MBRF20L120CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20L120CTH -
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 900 MV @ 20 A 20 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090 C0G -
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1090 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMBT2907A Taiwan Semiconductor Corporation Mmbt2907a 0.0336
RFQ
 ECAD 6801 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMBT2907ATR EAR99 8541.21.0075 6,000 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
HS3GB Taiwan Semiconductor Corporation HS3GB 0.1377
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS3G Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SF44GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf44ghb0g -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF44 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
SRF1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf1060hc0g -
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1060 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX85C6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C6V8 A0G -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
ZM4743A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4743a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4743 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.9 V 13 V 10 ohmios
SF15GH Taiwan Semiconductor Corporation SF15GH 0.1031
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF15 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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