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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1PGSMC5356 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5356 V7G -
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5356V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 14.4 V 19 V 3 ohmios
PE1BA Taiwan Semiconductor Corporation PE1BA 0.4500
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - 1 (ilimitado) 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 1 A 15 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 24pf @ 4V, 1 MHz
BZX585B24 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B24 RKG -
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 45 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
S10GCH Taiwan Semiconductor Corporation S10gch 0.2379
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX79B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b2v4 0.0322
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B2V4TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 1 ma @ 100 V 2.4 V 100 ohmios
HER1605GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1605GH 0.6029
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER1605GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 16A 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C4V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3-G 0.0445
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C4V3-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
S12GC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC M6 -
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S12GCM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
BZX55C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C4V7 0.0287
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C4V7TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 500 na @ 1 V 4.7 V 60 ohmios
BZT52C33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S 0.0357
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C33STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 23 V 33 V 80 ohmios
BZD27C9V1PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1PHMQG -
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 9.05 V 4 ohmios
S1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1jl rvg 0.0590
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
RS2KFSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2kfsh 0.0690
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2KFSHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
MBRS2550CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2550CTHMNG -
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2550 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 25A 900 MV @ 25 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3g r7g -
RFQ
 ECAD 3517 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3g Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C30PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30phrvg 0.1043
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
SF1608PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1608PT C0G -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF1608 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
SF2008PTH Taiwan Semiconductor Corporation Sf2008pth 1.4510
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF2008 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.9 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
1N5820 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820 B0G -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5820 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 475 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5940 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5940 R5G -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5940 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
FR307G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR307G B0G -
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR307 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
S15MCH Taiwan Semiconductor Corporation S15mch 0.3192
RFQ
 ECAD 2988 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 15 A 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 93pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5933 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5933 R5G 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5933 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
MBRF10H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H150CT -
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 970 MV @ 10 A 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5221B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B RHG 0.0437
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5221 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
SS33 V7G Taiwan Semiconductor Corporation Ss33 v7g -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZX79B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b6v8 0.0305
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B6V8TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 4 Ma @ 2 V 6.8 V 15 ohmios
RS1AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ahm2g -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C5V1 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C5V1 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
MBRF1090H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090H -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1090 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1090H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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