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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SRS1040H Taiwan Semiconductor Corporation SRS1040H 0.7126
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1040 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 10A 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
TUAU8GH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau8gh 0.3108
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu8ghtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
S1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation S1dlhmtg -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1SMB5956H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956H 0.1545
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ C0G 9.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 190a (TC) 10V 4.2mohm @ 90a, 10V 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 30 V - 250W (TC)
S1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra S1JL 0.1605
RFQ
 ECAD 8026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
HER601G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER601G R0G -
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial HER601 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 6 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1 MHz
TSM4NB65CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CH 0.9576
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM4 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM4NB65CH EAR99 8541.29.0095 15,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 3.37ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 13.46 NC @ 10 V ± 30V 549 pf @ 25 V - 50W (TC)
S1MLW Taiwan Semiconductor Corporation S1mlw 0.3500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S1ml Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZD27C33P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P RHG -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
BZY55C7V5 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c7v5 ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
SR004 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR004 B0G -
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Sr004 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3-G 0.0461
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B4V3-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
ZM4729A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4729a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4729 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 100 µA @ 1 V 3.6 V 10 ohmios
SS215L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RFG -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS215 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
6A60G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60G A0G -
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A60 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
KBU1003G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1003G 1.9362
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-KBU1003G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 200 V 10 A Fase única 200 V
SF1607PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1607PT C0G -
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF1607 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
BZX79B10 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B10 0.0305
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B10TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 7 Ma @ 200 MV 10 V 20 ohmios
BZT55B9V1 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B9V1 L1G -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DA R3G -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ27SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ27 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 21 V 24.89 V 45 ohmios
BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation Byg23m 0.0897
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg23 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1.5 A 65 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
PU1BM Taiwan Semiconductor Corporation PU1BM 0.1053
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Estándar Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-PU1BMTR EAR99 8541.10.0080 18,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.05 v @ 1 a 24 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5359 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359 0.3249
RFQ
 ECAD 5488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5359TR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 18.2 V 24 V 4 ohmios
RS1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhrhg -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B5V1 A0G -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 1 V 5.1 V 35 ohmios
1N4741A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741A B0G -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4741 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 11.4 V 11 V 14 ohmios
BZV55B39 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B39 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 8699 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
BZX79B24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 A0G -
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 16.8 Ma @ 50 MV 24 V 70 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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