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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 0.0504
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C6V2TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
TSM300NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR 0.9850
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM300 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM300NB06LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 5A (TA), 24a (TC) 30mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 17NC @ 10V 966pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
PU1JFS Taiwan Semiconductor Corporation PU1JFS 0.0957
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 PU1J Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-PU1JFSTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 v @ 1 a 25 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM85N10CZ C0G -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM85 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 81a (TC) 10V 10mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 154 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 210W (TC)
SRA820HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA820HC0G -
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA820 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
1N4934G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G A0G -
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZY55C15 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c15 ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
SRAS2030HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras2030hmng -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras2030 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 570 MV @ 20 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
1SMB5941 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5941 R5G -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5941 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
TS25PL05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS25PL05GH 4.6932
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS25 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TS25PL05GH EAR99 8541.10.0080 1.200 920 MV @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
TSM900N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH 0.6584
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 Mosfet (Óxido de metal) TO-251S (I-Pak SL) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM900N06CH EAR99 8541.29.0095 15,000 N-canal 60 V 11a (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
DBLS101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G C1G -
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS101 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
BZT52B4V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZT52C3V9-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V9-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
HER3006PT Taiwan Semiconductor Corporation HER3006PT -
RFQ
 ECAD 5055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 HER3006 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 1.7 V @ 15 A 80 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZY55B33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b33 ryg 0.0486
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
M3Z2V2C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V2C 0.0294
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3z2 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z2V2CTR EAR99 8541.10.0050 6,000 120 µA @ 1 V 2.2 V 100 ohmios
1N5817HR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817HR1G -
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5817 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4V, 1 MHz
FR306G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr306g a0g -
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR306 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS138 RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 260MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 260 mm, 10v 1.6V @ 250 µA 2 NC @ 10 V ± 20V 32 pf @ 25 V - 357MW (TA)
SFT18GH Taiwan Semiconductor Corporation Sft18gh 0.1165
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SFT18 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TSM120N10PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG -
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 58a (TC) 10V 12mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 145 NC @ 10 V ± 20V 3902 pf @ 30 V - 36W (TC)
SBS25 RGG Taiwan Semiconductor Corporation SBS25 RGG -
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS25 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 500 MV @ 2 A 100 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
HS3BB Taiwan Semiconductor Corporation HS3BB 0.2066
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS3BBTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
BA157G B0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157G B0G -
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA157 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SK52BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk52bhr5g -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk52 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZD27C8V2P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P RHG -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 8.2 V 2 ohmios
SFA807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA807G C0G -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA807 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
SK55C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK55C R6 -
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK55CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZT55C6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V8 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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