SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S4G R7 Taiwan Semiconductor Corporation S4G R7 -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4GR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SK810C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK810C M6 -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sk810cm6tr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
ES3CH Taiwan Semiconductor Corporation Es3ch -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3CHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HS5B M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5B M6 -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS5BM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS1MLS Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mls 0.0597
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1MLSTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.2 A 300 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
BZT52C8V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2-G 0.0445
RFQ
 ECAD 5647 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C8V2-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
ES2DFS Taiwan Semiconductor Corporation Es2dfs 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 ES2D Estándar SOD-128 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1 MHz
MUR310S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S R7G -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC MUR310 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 875 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MUR420SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur420sh 0.2661
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
S5J R6 Taiwan Semiconductor Corporation S5J R6 -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5JR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
S2GALH Taiwan Semiconductor Corporation S2galh 0.0683
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S2GALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12PF @ 4V, 1MHz
1N4740A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740A 0.1642
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
RS3MFSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs3mfsh 0.1035
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS3MFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 160 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 15pf @ 4V, 1 MHz
ES3A R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3A R6 -
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3AR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
TUAR4GH Taiwan Semiconductor Corporation Tuar4gh 0.2022
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuar4 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TUAR4GHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 v @ 4 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 31pf @ 4V, 1 MHz
SS14LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss14lhrqg -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZX584B15 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B15 RSG 0.4800
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
MBRAD845H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD845H 0.7200
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD845 Schottky Thindpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 8 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 384pf @ 4V, 1MHz
BZV55C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V4 0.0333
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C2V4TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
1N5238B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5238B 0.0271
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5238 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5238BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
DBL159G Taiwan Semiconductor Corporation DBL159G 0.2700
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL159 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 A 2 µA @ 1400 V 1.5 A Fase única 1.4 kV
MBRS20H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CT 0.7342
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS20 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS20H150CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 970 MV @ 20 A 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56 0.0453
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C56TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation S1jlsh 0.0597
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S1JLSHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
1N4744A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744A B0G -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4744 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
SS34LH Taiwan Semiconductor Corporation Ss34lh 0.3915
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Ss34 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS34LHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
HS1BLH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1blh 0.2378
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1BLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SF2003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003GHC0G -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2003 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 10 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
TS15P04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P04G C2G -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P04 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
DBL159GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL159GH 0.2874
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL159 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 A 2 µA @ 1400 V 1.5 A Fase única 1.4 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar