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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SFAF2004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2004GHC0G -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF2004 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 20 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 170pf @ 4V, 1MHz
SS14L RQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss14l rqg -
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZX84C13 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C13 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
1T2G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T2G A1G -
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T2G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
FR151GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151GHR0G -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR151 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
MUR4L40HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L40HA0G -
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L40 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZY55C27 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c27 ryg -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
AZ23C30 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C30 RFG 0.0786
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 22.5 V 30 V 80 ohmios
BZX85C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C22 0.0645
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C22TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 16 V 22 V 25 ohmios
S2GA Taiwan Semiconductor Corporation S2GA 0.0633
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2G Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
SF62G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G B0G -
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF62 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SS29LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Ss29lhr3g 0.3075
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS29 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
UF4002HA0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002HA0G -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2323CX RFG 0.5200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2323 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.7a (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.5 NC @ 4.5 V ± 8V 1020 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
RS1BHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bhm2g -
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N4749A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749A A0G -
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4749 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
BZT52B30S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B30S 0.0340
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b30str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
BZD17C12P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P RFG -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 9.1 V 12 V 7 ohmios
ES1CLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhrvg 0.2565
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmqg -
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
ES3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3D M6 -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3DM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MBRF15150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15150CTHC0G -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF15150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 950 MV @ 7.5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5951H 0.1798
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 91.2 V 120 V 360 ohmios
SFT18GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sft18gha0g -
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SFT18 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
UF1DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1dha0g -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1D Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
TSM080N03PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 0.5916
RFQ
 ECAD 3960 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM080 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM080N03PQ56TR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 14a (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 14.4 NC @ 10 V ± 20V 843 pf @ 15 V - 2.6W (TA), 69W (TC)
MMSZ5259B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5259B 0.0437
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5259 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5259BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM250 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA), 48W (TC) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7A (TA), 30A (TC) 25mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 22nc @ 10V 1461pf @ 30V -
6A20GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GH -
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-6, axial Estándar R-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-6a20ghtr EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5407GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GH 0.1455
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5407 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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