SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
US1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation US1B M2G -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL RTG -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SS23LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss23lhrun 0.3210
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Ss23 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
FR151GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151GHR0G -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR151 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
BZX85C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C22 0.0645
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C22TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 16 V 22 V 25 ohmios
SR20150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR20150 C0G -
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR20150 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1 V @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR153GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR153GHB0G -
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR153 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
SR003HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr003hr0g -
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR003 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
US1DHR3G Taiwan Semiconductor Corporation US1DHR3G -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TSM060N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 0.6306
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM060 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.1x3.1) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM060N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 15A (TA), 62A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 25.4 NC @ 10 V ± 20V 1342 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 40W (TC)
HS3A R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A R6G -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS3AR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SK15B Taiwan Semiconductor Corporation Sk15b -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK15BTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C30-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 4564 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
BZX79C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C47 0.0287
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C47TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
BZX84C30 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C30 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
UGF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA 0.4786
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-Tugf1004GA EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 10A 1.25 V @ 10 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
1N4740A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740A R1G -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
TS8P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03G D2G -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
2A02GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A02GHR0G -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A02 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TSM60 Mosfet (Óxido de metal) To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 196mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ± 20V 1566 pf @ 300 V - 152W (TC)
HS2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2JA R3G 0.6400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
BC847C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847C RFG 0.0337
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
1SMA5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5950h 0.0995
RFQ
 ECAD 6196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5950 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 83.6 V 110 V 300 ohmios
SFT11GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sft11gha0g -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Sft11 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
TSD20H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H120CW 2.4100
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TSD20 To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800
SR002 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 B0G -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR002 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
UG305P Taiwan Semiconductor Corporation UG305P 0.1812
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801 -UG305PTR EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.1 v @ 3 a 25 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 47pf @ 4V, 1 MHz
SFAF506G Taiwan Semiconductor Corporation Sfaf506g -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFAF506G EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
SR805HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr805hr0g -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR805 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
SRAF850HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF850HC0G -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF850 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 8 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar