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Productos de semiconductoros discretos (1252)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IRFU6215PBF	-	RFQ	1501	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)		Ipak (un 251)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P					150 V	13a (TC)	10V	295mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auirfr4105	0.6600	RFQ	5	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					55 V	20A (TC)	10V	45mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IRFS3806PBF	0.3500	RFQ	7892	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8542.39.0001	290		N-canal					60 V	43a (TC)	10V	15.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 50 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 50 V	-	71W (TC)
IRG7PH50K10D-EPBF	6.1600	RFQ	9	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Estándar		400 W	Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 35a, 5ohm, 15V														130 ns	-	1200 V	90 A	160 A	2.4V @ 15V, 35a	2.3mj (Encendido), 1.6mj (apaguado)	300 NC	90ns/340ns
IRLU3103PBF	-	RFQ	1234	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)		IPAK (TO-251AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					30 V	55A (TC)		19mohm @ 33a, 10v	1V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 16V	1600 pf @ 25 V	-	107W (TC)
Auirl7766m2tr	1.7800	RFQ	37	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico M4				Mosfet (Óxido de metal)		DirectFet ™ Isométrico M4	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					100 V	10a (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 31a, 10v	2.5V @ 150 µA	66 NC @ 4.5 V	± 16V	5305 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 62.5W (TC)
Irfl4310pbf	-	RFQ	3702	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					100 V	1.6a (TA)		200mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	330 pf @ 25 V	-	1W (TA)
Auirf3315s	-	RFQ	9179	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					150 V	21a (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
IRF9143	4.3400	RFQ	80	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	A-204AE				Mosfet (Óxido de metal)		A-204AE	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	80		Canal P					80 V	15A		-	-		-		Estándar	125W
IRFR5305PBF	-	RFQ	5132	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P					55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auirf9540n	1.0400	RFQ	5	Rectificador internacional	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P					100 V	23a (TC)	10V	117mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	97 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRF6797MTRPBF	1.2500	RFQ	11	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					25 V	36A (TA), 210A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 38a, 10v	2.35V @ 150 µA	68 NC @ 4.5 V	± 20V	5790 pf @ 13 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS7730PBF	-	RFQ	4097	Rectificador internacional	HEXFET®, StrongIrfet ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (TO-263AB)	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal					75 V	195a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 100a, 10v	3.7V @ 250 µA	407 NC @ 10 V	± 20V	13660 pf @ 25 V	-	375W (TC)
Irfl024npbf	-	RFQ	7709	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					55 V	2.8a (TA)	10V	75mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250 µA	18.3 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	1W (TA)
Auirfb3806-ir	-	RFQ	6895	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-auirfb3806-ir	EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					60 V	43a (TC)		15.8mohm @ 43a, 10v	-		-		-	71W (TC)
IRF253	2.0200	RFQ	7000	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-	A Través del Aguetero	TO-204AA				Mosfet (Óxido de metal)		A 3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	19		N-canal					150 V	25A		-	-		-		-	150W
IRF7389PBF	1.0000	RFQ	9724	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		IRF738		Mosfet (Óxido de metal)	2.5w	8-SO	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1	Vecino del canal						30V	-		29mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250 µA	33NC @ 10V		650pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Irams12up60a-2	-	RFQ	4473	Rectificador internacional	iMotion ™	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados	IGBT						descascar	Rohs no conforme				EAR99	8542.39.0001	80	3 fase			12 A	600 V	2000 VRMS
Auirf1010zl	1.2400	RFQ	8	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					55 V	75A (TC)		7.5mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
AuIRF7805Q	0.8800	RFQ	1826	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar					EAR99	8541.29.0095	90		N-canal					30 V	13a (TA)	4.5V	11mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	31 NC @ 5 V	± 12V		-	2.5W (TA)
IRL1404ZSPBF	1.0000	RFQ	1407	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal					40 V	75A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10v	2.7V @ 250 µA	110 NC @ 5 V	± 16V	5080 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRG7PH37K10D-EPBF	4.0700	RFQ	4	Rectificador internacional	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Estándar		216 W	Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 15a, 10ohm, 15V														120 ns	-	1200 V	45 A	60 A	2.4V @ 15V, 15a	1MJ (Encendido), 600 µJ (apagado)	135 NC	50ns/240ns
Irfi7536gpbf-ir	-	RFQ	5802	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					60 V	86a (TC)	10V	3.4mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	195 NC @ 10 V	± 20V	6600 pf @ 48 V	-	75W (TC)
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	4590	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	800		Canal P					55 V	19a (TC)	10V	100mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRFR220NPBF	1.0000	RFQ	3436	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar						0000.00.0000	1		N-canal					200 V	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
Auirfs4115	-	RFQ	3625	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					150 V	99a (TC)	10V	12.1mohm @ 62a, 10v	5V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5270 pf @ 50 V	-	375W (TC)
IRF7413ZPBF	-	RFQ	8243	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					30 V	13a (TA)		10mohm @ 13a, 10v	2.25V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Auirf9z34n	0.7700	RFQ	11	Rectificador internacional	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P					55 V	19a (TC)	10V	100mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar						0000.00.0000	1		N-canal					100 V	42a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 38a, 10v	2.5V @ 100 µA	48 NC @ 4.5 V	± 16V	3980 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Auirf4905strl	1.0000	RFQ	6171	Rectificador internacional	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		Canal P					55 V	42a (TC)	10V	20mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 25 V	-	200W (TC)