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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC
IXFN38N100P IXYS IXFN38N100P 51.8300
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn38 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1000 V 38a (TC) 10V 210mohm @ 19a, 10v 6.5V @ 1MA 350 NC @ 10 V ± 30V 24000 pf @ 25 V - 1000W (TC)
MIXA450PF1200TSF IXYS Mixa450pf1200tsf 179.9600
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Mixa450 2100 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Mixa450pf1200tsf EAR99 8541.29.0095 3 Medio puente PT 1200 V 650 A 2.15V @ 15V, 450A 1 MA Si
IXGX82N120B3 IXYS Ixgx82n120b3 -
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixgx82 Estándar 1250 W MÁS247 ™ -3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 80a, 2ohm, 15V PT 1200 V 230 A 500 A 3.2V @ 15V, 82a 5MJ (Encendido), 3.3MJ (apagado) 350 NC 30ns/210ns
DSSK60-02AR IXYS DSSK60-02AR -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 DSSK60 Schottky Isoplus247 ™ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A 850 MV @ 30 A 2 Ma @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXTA240N055T IXYS Ixta240n055t -
RFQ
 ECAD 1411 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta240 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 240a (TC) 10V 3.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 480W (TC)
VWO85-12IO1 IXYS VWO85-12IO1 -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo VWO Controlador Trifásico: Todos los SCR descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 200 MA 1.2 kV 59 A 1.5 V 520a, 560a 100 mA 27 A 6 SCRS
IXFV16N80PS IXYS IXFV16N80PS -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Más-220smd Ixfv16 Mosfet (Óxido de metal) Más-220smd descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 71 NC @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 460W (TC)
DGS10-018AS-TUB IXYS DGS10-018AS-TUB -
RFQ
 ECAD 5711 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DGS10 Schottky Un 263AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 180 V 1.1 v @ 5 a 1.3 Ma @ 180 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
DPG10I200PM IXYS Dpg10i200pm 1.8000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Dpg10i200 Estándar TO20ACFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.27 v @ 10 a 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
IXTP15N50L2 IXYS Ixtp15n50l2 10.2500
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 20V 4080 pf @ 25 V - 300W (TC)
VCD105-12IO7 IXYS VCD105-12IO7 -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis ECO-PAC2 VCD105 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 200 MA 1.2 kV 180 A 1.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 105 A 1 scr, 1 diodo
IXGH10N100U1 IXYS IXGH10N100U1 -
RFQ
 ECAD 4360 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh10 Estándar 100 W Un 247ad descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado IXGH10N100U1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 800V, 10a, 150ohm, 15V 60 ns - 1000 V 20 A 40 A 3.5V @ 15V, 10a 2MJ (apaguado) 52 NC 100ns/550ns
MCMA265P1600KA IXYS MCMA265P1600KA 166.0433
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Y1-CU MCMA265 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 150 Ma 1.6 kV 408 A 2 V 8500A, 9180A 150 Ma 260 A 2 SCRS
MCD95-14IO1B IXYS MCD95-14IO1B 35.3069
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD95 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4 kV 180 A 2.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 116 A 1 scr, 1 diodo
IXGH10N170A IXYS IXGH10N170A 9.8400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh10 Estándar 140 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 850V, 10a, 22ohm, 15V Escrutinio 1700 V 10 A 20 A 6V @ 15V, 5A 380 µJ (apaguado) 29 NC 46ns/190ns
IXFK44N80Q3 IXYS IXFK44N80Q3 36.8200
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfk44 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 800 V 44a (TC) 10V 190mohm @ 22a, 10v 6.5V @ 8MA 185 NC @ 10 V ± 30V 9840 pf @ 25 V - 1250W (TC)
DSDI60-16A IXYS DSDI60-16A 12.7300
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 DSDI60 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1600 V 4.1 V @ 70 A 300 ns 2 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C 63a -
IXBT2N250-TR IXYS IXBT2N250-TR 16.8549
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT2 Estándar 32 W Un 268 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXBT2N250-TR EAR99 8541.29.0095 400 2000v, 2a, 47ohm, 15V 920 ns - 2500 V 5 A 13 A 3.5V @ 15V, 2a - 10.6 NC 30ns/70ns
IXTX6N200P3HV IXYS Ixtx6n200p3hv 69.9500
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixtx6 Mosfet (Óxido de metal) TO-247PLUS-HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTX6N200P3HV EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 2000 V 6a (TC) 10V 4ohm @ 3a, 10v 5V @ 250 µA 143 NC @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFP18N65X2 IXYS IXFP18N65X2 5.2200
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXFP18N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10v 5V @ 1.5MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1520 pf @ 25 V - 290W (TC)
DS1-12D IXYS DS1-12D -
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto A Través del Aguetero Radial Ds1 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 7 A 700 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.3a -
IXFH170N10P IXYS IXFH170N10P 12.5700
RFQ
 ECAD 9613 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH170 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 170A (TC) 10V 9mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 198 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 715W (TC)
DS35-08A IXYS DS35-08A -
RFQ
 ECAD 5996 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental DS35 Estándar Do-203ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 150 A 4 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 49A -
IXFN170N10 IXYS IXFN170N10 35.7580
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn170 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 170A (TC) 10V 10mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 8MA 515 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 600W (TC)
DSEP2X31-04A IXYS DSEP2X31-04A -
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Dsep2x Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 30A 1.45 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXTP3N110 IXYS Ixp3n110 -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1100 V 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXFR21N50Q IXYS IXFR21N50Q -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto IXFR21 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 30 -
IXFK32N100P IXYS Ixfk32n100p 24.8900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK32 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 1000 V 32A (TC) 10V 320mohm @ 16A, 10V 6.5V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 14200 pf @ 25 V - 960W (TC)
MCD26-16IO1B IXYS MCD26-16IO1B 30.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD26 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 50 A 1.5 V 520a, 560a 100 mA 32 A 1 scr, 1 diodo
CMA80E1600HB IXYS CMA80E1600HB 7.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Ixys CMA80E1600HB Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 CMA80 TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CMA80E1600HB EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 1.6 kV 126 A 1.4 V 720a, 780a 80 Ma 1.47 V 80 A Recuperación
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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