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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
MCD72-18IO1B IXYS MCD72-18IO1B 36.3808
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD72 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.8 kV 180 A 2.5 V 1700A, 1800A 150 Ma 115 A 1 scr, 1 diodo
VBO105-16NO7 IXYS VBO105-16NO7 -
RFQ
 ECAD 4727 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-C VBO105 Estándar PWS-C - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 107 A Fase única 1.6 kV
LSIC2SD120N40PA IXYS LSIC2SD120N40PA 53.5300
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita LSIC2SD120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY SOT -227B - MINIBLOC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-LSIC2SD120N40PA EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 42a (DC) 1.8 V @ 20 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
CLA60MT1200NHB IXYS CLA60MT1200NHB 8.1400
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 CLA60 Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 30 Soltero 60 Ma Estándar 1.2 kV 66 A 1.3 V 380a, 410a 60 Ma
IXFN64N60P IXYS Ixfn64n60p 36.2800
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn64 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 600 V 50A (TC) 10V 96mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 8MA 200 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 700W (TC)
MCO740-20IO1 IXYS MCO740-20IO1 -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto - Monte del Chasis WC-501 Moco Soltero - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 2 kV - 1 SCR
IXFR21N50Q IXYS IXFR21N50Q -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto IXFR21 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 30 -
N3229QK040 IXYS N3229QK040 -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 140 ° C Monte del Chasis A 200ab, B-PUK N3229 WP2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-N3229QK040 EAR99 8541.30.0080 12 1 A 400 V 6305 A 3 V 30800A @ 50Hz 300 mA 1.57 V 3229 A 100 mA Recuperación
IXTN5N250 IXYS Ixtn5n250 51.3450
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixtn5 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 2500 V 5A (TC) 10V 8.8ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 1MA 200 NC @ 10 V ± 30V 8560 pf @ 25 V - 700W (TC)
MDO1200-22N1 IXYS MDO1200-22N1 -
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto Monte del Chasis Y1-CU MDO1200 Estándar Y1-CU - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2200 V - -
IXFP18N65X2M IXYS Ixfp18n65x2m 3.7020
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IXFP18 Mosfet (Óxido de metal) Pestaña aislada de 220 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFP18N65X2M EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10v 5V @ 1.5MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1520 pf @ 25 V - 290W (TC)
MCD250-18IO1 IXYS MCD250-18io1 -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Y2-DCB MCD250 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 150 Ma 1.8 kV 450 A 2 V 9000A, 9600A 150 Ma 287 A 1 scr, 1 diodo
IXGH28N90B IXYS Ixgh28n90b -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh28 Estándar 200 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 720V, 28a, 4.7ohm, 15V - 900 V 51 A 120 A 2.7V @ 15V, 28A 1.2mj (apaguado) 100 NC 30ns/100ns
DLA10IM800UC-TUB IXYS DLA10IM800UC-TUB 1.3061
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DLA10 Estándar Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DLA10IM800UC-TUB EAR99 8541.10.0080 70 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.22 v @ 10 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 3PF @ 400V, 1MHz
MKI50-12E7 IXYS MKI50-12E7 -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis E2 MKI 350 W Estándar E2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor de puente entero Escrutinio 1200 V 90 A 2.4V @ 15V, 50A 800 µA No 3.8 NF @ 25 V
MIXA150R1200VA IXYS Mixa150r1200va 34.0754
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis V1a-pak Mixa150 695 W Estándar V1a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Soltero PT 1200 V 220 A 2.1V @ 15V, 150a 500 µA No
IXFK27N80Q IXYS IXFK27N80Q 30.2600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK27 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 800 V 27a (TC) 10V 320mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 4MA 170 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 500W (TC)
HTZ280H20K IXYS Htz280h20k -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Ixys Htz280h Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ280 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 20000 V 4.7a 23 V @ 12 A 500 µA @ 20000 V
IXTQ110N10P IXYS Ixtq110n10p 7.2900
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq110 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 15mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFH70N65X3 IXYS IXFH70N65X3 14.4300
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFH70N65X3 EAR99 8541.29.0095 300 N-canal 650 V 70A (TC) 10V 44mohm @ 35a, 10V 5.2V @ 4MA 66 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 780W (TC)
IXTT50P085 IXYS Ixtt50p085 -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 85 V 50A (TC) 10V 55mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTQ14N60P IXYS Ixtq14n60p 5.4000
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq14 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTQ14N60P EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTH30N50P IXYS Ixth30n50p 9.3900
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 4150 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXTY2N80P IXYS Ixty2n80p -
RFQ
 ECAD 6180 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty2 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 6ohm @ 1a, 10v 5.5V @ 50 µA 10.6 NC @ 10 V ± 30V 440 pf @ 25 V - 70W (TC)
VCO180-16IO7 IXYS VCO180-16IO7 39.9916
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis ECO-PAC2 VCO180 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 200 MA 1.6 kV 280 A 1.5 V 4500A, 4900A 300 mA 180 A 1 SCR
IXTX550N055T2 IXYS Ixtx550n055t2 21.0490
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixtx550 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 55 V 550a (TC) 10V 1.6mohm @ 100a, 10v 4V @ 250 µA 595 NC @ 10 V ± 20V 40000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXFN110N65X3 IXYS Ixfn110n65x3 33.9180
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Ixfn110 - 238-IXFN110N65X3 10
CS35-14IO4 IXYS CS35-14IO4 -
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AC, TO-65-3, comienza CS35 TO-208AC (TO-65) descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 80 Ma 1.4 kV 120 A 1.5 V 1200a, 1340a 100 mA 1.5 V 69 A 10 Ma Recuperación
MCC72-08IO8B IXYS MCC72-08IO8B 34.0417
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCC72 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 800 V 180 A 2.5 V 1700A, 1800A 150 Ma 115 A 2 SCRS
MDC700-12IO1W IXYS MDC700-12IO1W -
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Ixys - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis WC-500 MDC700 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 1.2 kV 1331 A 18200 @ 50MHz 700 A 1 scr, 1 diodo
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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