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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IXTH6N90 IXYS Ixth6n90 -
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth6 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 6a (TC) 10V 1.8ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 180W (TC)
GWM120-0075P3-SMD SAM IXYS GWM120-0075P3-SMD SAM -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-SMD, Ala de Gaviota GWM120 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 6 Canal N (Puente 3 Formas) 75V 118a 5.5mohm @ 60a, 10v 4V @ 1MA 100NC @ 10V - -
MDD95-16N1B IXYS MDD95-16N1B 38.6100
RFQ
 ECAD 8600 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis To40aa MDD95 Estándar To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 120a 1.43 V @ 300 A 15 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
DFE60C600AHB IXYS DFE60C600AHB 6.5293
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Ixys - Tubo Activo DFE60 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DFE60C600AHB 30 - - - -
DSA2-12A IXYS Dsa2-12a -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto A Través del Aguetero Axial DSA2 Avalancha Axial descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dsa212a EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.25 V @ 7 A 2 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 3.6a -
IXTH44P15T IXYS Ixth44p15t 8.1900
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth44 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 150 V 44a (TC) 10V 65mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 175 NC @ 10 V ± 15V 13400 pf @ 25 V - 298W (TC)
IXTH30N25 IXYS IXTH30N25 -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 30A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 136 NC @ 10 V ± 20V 3950 pf @ 25 V - 200W (TC)
VBO65-12NO7 IXYS VBO65-12NO7 -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Fútbol VBO65 Estándar Fútbol descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.4 V @ 150 A 500 µA @ 1200 V 65 A Fase única 1.2 kV
IXFH60N25Q IXYS IXFH60N25Q -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixfh60 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 60A (TC) 10V 47mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXGH30N60C2 IXYS IXGH30N60C2 -
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh30 Estándar 190 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24a, 5ohm, 15V PT 600 V 70 A 150 A 2.7V @ 15V, 24a 290 µJ (apaguado) 70 NC 13ns/70ns
IXSN62N60U1 IXYS IXSN62N60U1 -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixsn62 250 W Estándar Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 600 V 90 A 2.5V @ 15V, 50A 750 µA No 4.5 NF @ 25 V
IXFA80N25X3-TRL IXYS IXFA80N25X3-TRL 9.9500
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa80 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 80a (TC) 10V 16mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 1.5MA 83 NC @ 10 V ± 20V 5430 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXTA24N65X2 IXYS Ixta24n65x2 5.7200
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta24 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -ExtA24N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 2060 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXTH06N220P3HV IXYS Ixth06n220p3hv -
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 IXTH06 Mosfet (Óxido de metal) Un 247HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 2200 V 600 mA (TC) 10V 80ohm @ 300mA, 10V 4V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 104W (TC)
IXGH30N60B2D1 IXYS Ixgh30n60b2d1 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh30 Estándar 190 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24a, 5ohm, 15V 25 ns PT 600 V 70 A 150 A 1.8v @ 15V, 24a 320 µJ (apaguado) 66 NC 13ns/110ns
IXFT150N20T IXYS Ixft150n20t 18.8863
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft150 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 150A (TC) 10V 15mohm @ 75a, 10v 5V @ 4MA 177 NC @ 10 V ± 20V 11700 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXFR32N100P IXYS IXFR32N100P 22.4577
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR32 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 18a (TC) 10V 340mohm @ 16a, 10v 6.5V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 14200 pf @ 25 V - 320W (TC)
HTZ130B24K IXYS Htz130b24k -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Ixys Htz130b Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ130 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 24000 V 1A 24 V @ 2 A 500 µA @ 24000 V
MCNA120UI2200P-PC IXYS MCNA120UI2200P-PC 131.6168
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 Ixys - Caja Activo - - - MCNA120 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MCNA120UI2200P-PC EAR99 8541.30.0080 28 - -
DH20-18A IXYS DH20-18A 6.2000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 Dh20 Estándar To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1800 V 2.24 V @ 20 A 300 ns 50 µA @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
IXGA12N100 IXYS Ixga12n100 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga12 Estándar 100 W Un 263AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 800V, 12A, 120ohm, 15V - 1000 V 24 A 48 A 3.5V @ 15V, 12A 2.5MJ (apaguado) 65 NC 100ns/850ns
IXTM11N80 IXYS Ixtm11n80 -
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 Ixys Gigamos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Ixtm11 Mosfet (Óxido de metal) TO-204AA (IXTM) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 800 V 11a (TC) 10V 950mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFH14N80 IXYS IXFH14N80 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH14 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 700mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 4MA 200 NC @ 10 V ± 20V 4870 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFN50N50 IXYS IXFN50N50 -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn50 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 50A (TC) 10V 90mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 8MA 330 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 25 V - 600W (TC)
DSEP29-12B IXYS DSEP29-12B 5.3640
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 DSEP29 Estándar Un 220-2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DSEP29-12B EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.76 V @ 30 A 140 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 12PF @ 600V, 1MHz
MDMA700P1600CC IXYS MDMA700P1600CC 212.5667
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Ixys MDMA700P1600CC Caja Activo Monte del Chasis Módulo MDMA700 Estándar Reemplazar - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 238-MDMA700P1600CC EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 700A 1.14 V @ 700 A 500 µA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
MIEB101H1200EH IXYS MIEB101H1200EH 145.0900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis E3 Mieb101 630 W Estándar E3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5 Inversor de puente entero - 1200 V 183 A 2.2V @ 15V, 100A 300 µA No 7.43 nf @ 25 V
HTZ250G33K IXYS HTZ250G33K -
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 Ixys Htz250g Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ250 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 33600 V 2.7a 32 V @ 12 A 500 µA @ 33600 V
IXTH2R4N120P IXYS Ixth2r4n120p 8.0763
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH2 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 2.4a (TC) 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1207 pf @ 25 V - 125W (TC)
IXFH22N65X2 IXYS IXFH22N65X2 6.5500
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH22 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 160mohm @ 11a, 10v 5.5V @ 1.5MA 38 NC @ 10 V ± 30V 2310 pf @ 25 V - 390W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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