SIC
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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
IXTA8PN50P IXYS Ixta8pn50p -
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta8 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) - - - -
IXTY48P05T IXYS Ixty48p05t 4.1800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty48 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 Canal P 50 V 48a (TC) 10V 30mohm @ 24a, 10v 4.5V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 15V 3660 pf @ 25 V - 150W (TC)
DSEI25-06A IXYS DSEI25-06A 2.5900
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 DSEI25 Estándar Un 220-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-DSEI25-06A EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.31 v @ 25 a 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 25A 20pf @ 400V, 1 MHz
DSAI35-18A IXYS DSAI35-18A -
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Dsai35 Avalancha Do-203ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.55 V @ 150 A 4 Ma @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 49A -
IXTX90P20P IXYS Ixtx90p20p 21.2100
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 Ixys Polarp ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixtx90 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 620108 EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 200 V 90A (TC) 10V 44mohm @ 22a, 10v 4V @ 1MA 205 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXFR64N60Q3 IXYS IXFR64N60Q3 39.6300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR64 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFR64N60Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 42a (TC) 10V 104mohm @ 32a, 10v 6.5V @ 4MA 190 NC @ 10 V ± 30V 9930 pf @ 25 V - 568W (TC)
MCD501-12IO1 IXYS MCD501-12IO1 -
RFQ
 ECAD 7313 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto 125 ° C (TJ) Monte del Chasis WC-501 MCD501 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 1.2 kV - 1 scr, 1 diodo
IXTQ76N25T IXYS Ixtq76n25t 6.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq76 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 76a (TC) 10V 39mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 1MA 92 NC @ 10 V ± 30V 4500 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXFK30N50Q IXYS IXFK30N50Q -
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK30 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 30A (TC) 10V 160mohm @ 15a, 10v 4.5V @ 4MA 150 NC @ 10 V ± 20V 3950 pf @ 25 V - 416W (TC)
IXTH75N15 IXYS Ixth75n15 -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 23mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 330W (TC)
DGS10-018AS IXYS DGS10-018As -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DGS10 Schottky Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 180 V 1.1 v @ 5 a 1.3 Ma @ 180 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
DCG10P1200HR IXYS Dcg10p1200hr -
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 DCG10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY ISO247 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-dcg10p1200hr EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 10 A 250 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 12.5a 755pf @ 0V, 1 MHz
VUO55-16NO7 IXYS VUO55-16NO7 -
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-B VUO55 Estándar PWS-B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.03 v @ 20 a 100 µA @ 1600 V 58 A Fase triple 1.6 kV
IXTK3N250L IXYS Ixtk3n250l 71.7264
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 Ixys Lineal Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk3 Mosfet (Óxido de metal) To-264 (ixtk) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-ipTintek3n250l EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 2500 V 3A (TC) 10V 10ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 1MA 230 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 417W (TC)
DSEP6-06AS-TUB IXYS DSEP6-06As-TUB 1.4843
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DSEP6 Estándar Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DSEP6-06As-TUB EAR99 8541.10.0080 70 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.03 v @ 6 a 20 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 5PF @ 400V, 1MHz
IXFX52N30Q IXYS IXFX52N30Q -
RFQ
 ECAD 9519 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx52 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 52a (TC) - - - - - 360W (TC)
DSS2X200-0008D IXYS DSS2X200-0008D -
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Dss2 Schottky Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 8 V 200a 340 MV @ 100 A 400 mA @ 8 V
DPG30IM300PC-TUB IXYS Dpg30im300pc-tub 2.9074
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DPG30IM300 Estándar TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DPG30IM300PC-TUB EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.35 V @ 30 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 42pf @ 150V, 1MHz
IXFX26N120P IXYS Ixfx26n120p 28.1997
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx26 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 26a (TC) 10V 500mohm @ 13a, 10v 6.5V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 16000 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXTK250N10 IXYS Ixtk250n10 -
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 Ixys Megamos ™ Caja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk250 Mosfet (Óxido de metal) To-264 (ixtk) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 250a (TC) 10V 5mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 430 NC @ 10 V ± 20V 12700 pf @ 25 V - 730W (TC)
IXFA8N65X2 IXYS Ixfa8n65x2 2.5451
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa8n65 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA8N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8a (TC) 10V 450mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 790 pf @ 25 V - 150W (TA)
IXFH98N60X3 IXYS IXFH98N60X3 17.5500
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH98 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXFH98N60X3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 98a (TC) 10V 30mohm @ 49a, 10v 5V @ 4MA 90 NC @ 10 V ± 20V 6250 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFK160N30T IXYS Ixfk160n30t 20.3500
RFQ
 ECAD 2368 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK160 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 160A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 5V @ 8MA 335 NC @ 10 V ± 20V 28000 pf @ 25 V - 1390W (TC)
M1494NC250 IXYS M1494NC250 -
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Apretar DO-200AC, K-PUK M1494 Estándar W5 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-M1494NC250 EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2500 V 2.34 V @ 4500 A 3.9 µs 85 Ma @ 2500 V -40 ° C ~ 125 ° C 1494a -
DMA10P1200UZ-TUB IXYS DMA10P1200UZ-TUB 2.4139
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMA10 Estándar Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA10P1200UZ-TUB EAR99 8541.10.0080 70 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.55 v @ 10 a 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 1PF @ 400V, 1MHz
IXFX100N65X2 IXYS IXFX100N65X2 19.3700
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx100 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 100A (TC) 10V 30mohm @ 50A, 10V 5.5V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 30V 11300 pf @ 25 V - 1040W (TC)
VBO160-08NO7 IXYS VBO160-08NO7 79.2300
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-E VBO160 Estándar PWS-E descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5 1.07 v @ 160 A 200 µA @ 800 V 174 A Fase única 800 V
K1670HA650 IXYS K1670HA650 -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af K1670 W79 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-k1670ha650 EAR99 8541.30.0080 6 1 A 6.5 kV 3255 A 3 V 23900A @ 50Hz 300 mA 2.4 V 1670 A 200 MA Recuperación
HTZ120A32K IXYS HTZ120A32K -
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Ixys Htz120a Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ120 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 32000 V 2A 36.8 V @ 12 A 500 µA @ 32000 V
IXFN130N65X3 IXYS Ixfn130n65x3 38.7020
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Ixfn130 - 238-IXFN130N65X3 10
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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