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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Voltaje Acoplado a la Carga de Puerta (QG) (Max) @ VGS Voltaje Junto A Capacitancia de Entrada (CISS) (MAX) @ VDS
M1022LC160 IXYS M1022LC160 -
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 ECAD 1417 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Apretar Do-200ab, B-PUK M1022 Estándar W4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-M1022LC160 EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.85 V @ 2050 A 3 µs 100 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 125 ° C 1022a -
IXGP24N60C IXYS IXGP24N60C -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Ixys Hiperfast ™, Lightspeed ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXGP24 Estándar 150 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 24a, 10ohm, 15V - 600 V 48 A 96 A 2.5V @ 15V, 24a 240 µJ (apaguado) 55 NC 15ns/75ns
DSSK30-0045B IXYS DSSK30-0045B -
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 ECAD 5008 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 DSSK30 Schottky Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 470 MV @ 15 A 10 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUBW100-06A8 IXYS Mubw100-06A8 -
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 ECAD 6367 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis E3 Mubre 410 W Rectificador de Puente Trifásico E3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5 Inversor trifásico con freno Escrutinio 600 V 125 A 2.5V @ 15V, 100A 1.4 Ma Si 4.3 NF @ 25 V
IXYN100N120B3H1 IXYS Ixyn100n120b3h1 41.2900
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 ECAD 8826 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn100 690 W Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 1200 V 165 A 2.6V @ 15V, 100A 50 µA No 6 NF @ 25 V
IXTH62N25T IXYS Ixth62n25t -
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 ECAD 6113 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH62 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 62a (TC) - - - -
IXTA140P05T-TRL IXYS Ixta140p05t-trl 5.2585
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 ECAD 9077 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta140 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa140p05t-trltr EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 50 V 140A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 15V 13500 pf @ 25 V - 298W (TC)
IXXH75N60B3D1 IXYS Ixxh75n60b3d1 13.7800
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 ECAD 5118 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh75 Estándar 750 W TO-247AD (IXXH) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 5ohm, 15V 25 ns PT 600 V 160 A 300 A 1.85V @ 15V, 60A 1.7MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) 107 NC 35ns/118ns
MCNA650PD2200CB IXYS MCNA650PD2200CB 298.0567
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 ECAD 7396 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Reemplazar MCNA650 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MCNA650PD2200CB EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 2.2 kV 1200 A 2 V 16000A, 17300A 300 mA 650 A 1 scr, 1 diodo
IXTP90N055T2 IXYS Ixtp90n055t2 2.7700
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 ECAD 20 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 90A (TC) 10V 8.4mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXGA90N33TC IXYS IXGA90N33TC -
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 ECAD 3628 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga90 Estándar 200 W Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - - 330 V 90 A 1.8v @ 15V, 45a - 69 NC -
IXFN100N10S1 IXYS IXFN100N10S1 -
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 ECAD 3666 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn100 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 15mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
DPG30C300HB IXYS DPG30C300HB 4.5900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 DPG30C300 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 15A 1.25 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFP14N85X IXYS Ixfp14n85x 6.5000
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 ECAD 95 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP14 Mosfet (Óxido de metal) TO220AB (IXFP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 850 V 14a (TC) 10V 550mohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1043 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXFV96N15P IXYS Ixfv96n15p -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Ixys Polarht ™ Hiperfet ™ Caja Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta Ixfv96 Mosfet (Óxido de metal) Más220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 96a (TC) 10V 24mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 110 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXKH47N60C IXYS Ixkh47n60c 25.7000
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixkh47 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixkh47n60c EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 47a (TC) 10V 70mohm @ 30a, 10v 4V @ 2mA 650 NC @ 10 V ± 20V - -
IXTH102N15T IXYS IXTH102N15T 5.7857
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH102 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 102a (TC) 10V 18mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 1MA 87 ± 20V 5220 - 455W (TC) 10 25
FMD47-06KC5 IXYS FMD47-06KC5 29.1792
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isoplusi5-pak ™ Fmd47 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 47a (TC) 10V 45mohm @ 44a, 10v 3.5V @ 3MA 190 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 100 V - -
VVZB120-12IO1 IXYS VVZB120-12IO1 -
RFQ
 ECAD 6896 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis V2-pak VVZB Puente, 3 Formas - SCRS/Diodos - IGBT Con Diodo - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5 200 MA 1.2 kV 1.5 V 750a @ 50mhz 100 mA 120 A 3 scr, 3 diodos
IXTT96N20P-TRL IXYS Ixtt96n20p-trl 7.8667
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Ixys Polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt96 Mosfet (Óxido de metal) Un 268 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-ixtt96n20p-trltr EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 200 V 96a (TC) 10V 24mohm @ 48a, 10v 5V @ 250 µA 145 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 600W (TC)
MCC170-12IO1 IXYS MCC170-12IO1 -
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Y1-CU MCC170 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 150 Ma 1.2 kV 350 A 2 V 5400A, 5800A 150 Ma 203 A 2 SCRS
IXFK120N30T IXYS Ixfk120n30t 13.4200
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfk120 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 120a (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10v 5V @ 4MA 265 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFV52N30PS IXYS Ixfv52n30ps -
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Ixys Polarht ™ Hiperfet ™ Caja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Más-220smd Ixfv52 Mosfet (Óxido de metal) Más-220smd descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 300 V 52a (TC) 10V 66mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 110 NC @ 10 V ± 20V 3490 pf @ 25 V - 400W (TC)
DPF60C200HJ IXYS DPF60C200HJ -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 DPF60C200 Estándar TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A 1.11 V @ 30 A 55 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXTH15N50L2 IXYS IXTH15N50L2 11.9100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH15 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 20V 4080 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFQ24N50P2 IXYS Ixfq24n50p2 -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq24 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixfq24n50p2 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 270mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 1MA 48 NC @ 10 V ± 30V 2890 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTY02N50D-TRL IXYS Ixty02n50d-trl 1.1397
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 Ixys Agotamiento Tape & Reel (TR) Activo - - - Ixty02 - - descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - 250MA (TJ) - - - ± 20V - -
IXFN160N30T IXYS IXFN160N30T 32.5200
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn160 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 300 V 130A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 5V @ 8MA 335 NC @ 10 V ± 20V 28000 pf @ 25 V - 900W (TC)
IXFB210N20P IXYS Ixfb210n20p 35.6900
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 ECAD 25 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFB210 Mosfet (Óxido de metal) MÁS264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 210A (TC) 10V 10.5mohm @ 105a, 10v 4.5V @ 8MA 255 nc @ 10 V ± 20V 18600 pf @ 25 V - 1500W (TC)
E1780TG65E IXYS E1780TG65E -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Ixys Sonic-frd ™ Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Un 200af E1780TG65 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-E1780TG65E EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 3600 V 3.83 V @ 1780 A 1.22 µs 100 mA @ 3600 V -40 ° C ~ 140 ° C 1780a -
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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