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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS66 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 49.1a (TA), 178.3a (TC) 4.5V, 10V 1.38mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 85.5 NC @ 10 V +20V, -16V 3327 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 0.8700
RFQ
 ECAD 5369 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sirc10 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V +20V, -16V 1873 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 43W (TC)
SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sija22dp-t1-ge3 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sija22 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-sija22dp-t1-ge3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 64a (TA), 201a (TC) 0.74mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 125 NC @ 10 V +20V, -16V 6500 pf @ 15 V - 4.8W (TA), 48W (TC)
SIHP22N60S-E3 Vishay Siliconix SIHP22N60S-E3 -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHP22N60SE3 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 22a (TC) 190mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V 2810 pf @ 25 V -
SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3 2.7600
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd40 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 38a (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 8.2a, 10v 2.5V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 20V 5540 pf @ 15 V - 136W (TC)
SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9446DN-T1-GE3 1.2800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Mosfet (Óxido de metal) 2.6W (TA), 23W (TC) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal 40V 11.3a (TA), 34A (TC) 1.2mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 250 µA 16NC @ 10V 720pf @ 20V Estándar
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS22 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 25.5a (TA), 92.5a (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2540 pf @ 30 V - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL9110TRPBF-BE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irfl9110 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 1.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10v 4V @ 250 µA 8.7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFRC20TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFRC20TRPBF-BE3 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFRC20 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) 742-IRFRC20TRPBF-BE3TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix SiHFR024-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 14a (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR014TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014TRLPBF-BE3 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR014 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 7.7a (TC) 200mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T2_GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-SQJ409EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 25 V - 68W (TC)
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_BE3 0.9000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2310 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) 742-sq2310es-t1_be3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6a (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 8V 485 pf @ 10 V - 2W (TC)
SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SiHD6N80AE-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 22.5 NC @ 10 V ± 30V 422 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 6.0700
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SIHB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHB30N60EGE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3762 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6467 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 6.8a (TA) 12.5mohm @ 8a, 4.5V 850MV @ 450 µA 70 NC @ 4.5 V -
SIHB22N60S-GE3 Vishay Siliconix SiHB22N60S-GE3 -
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix S Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB22 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 22a (TC) 10V 190mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2810 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRFR214TRPBF Vishay Siliconix IRFR214TRPBF 1.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR214 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 2.2a (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10v 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF918DT-T1-GE3 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Sizf918 Mosfet (Óxido de metal) 3.4W (TA), 26.6W (TC), 3.7W (TA), 50W (TC) 8PowerPair® (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2-canal (dual), Schottky 30V 23a (TA), 40a (TC), 35A (TA), 60A (TC) 4mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA, 2.3V @ 250 µA 22nc @ 10V, 56nc @ 10V 1060pf @ 15V, 2650pf @ 15V -
SI4818DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4818DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4818 Mosfet (Óxido de metal) 1W, 1.25W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5.3a, 7a 22mohm @ 6.3a, 10v 800MV @ 250 µA (min) 12NC @ 5V - Puerta de Nivel Lógico
SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5456DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet ™ single Si5456 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® chipfet ™ single descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 12a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.3a, 10v 2.5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
SIHP14N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHP14N50D-GE3 1.4464
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SIHP14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 1144 pf @ 100 V - 208W (TC)
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4913dy-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4913 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 7.1A 15mohm @ 9.4a, 4.5V 1V @ 500 µA 65nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS482ENW-T1_GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8W Sqs482 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10v 2.5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1865 pf @ 25 V - 62W (TC)
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3429 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 8a (TA), 8a (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 8V 4085 pf @ 50 V - 4.2W (TC)
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8DC descascar 1 (ilimitado) 742-sidr668dp-t1-re3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 23.2a (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 3.4V @ 250 µA 108 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 50 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
SUM110N04-05H-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-05H-E3 -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum110 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 5.3mohm @ 30a, 10v 5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 6700 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
SUM70090E-GE3 Vishay Siliconix Sum70090e-ge3 1.6600
RFQ
 ECAD 1264 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum70090 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 50A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 50 V - 125W (TC)
SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix Sqja20ep-t1_be3 1.4700
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar 1 (ilimitado) 742-sqja20ep-t1_be3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 22.5a (TC) 7.5V, 10V 50mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 68W (TC)
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5473DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5473 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 5.9a (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 32 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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