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Productos de semiconductoros discretos (4522)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Real - Promedio Rectificado (IO)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia - RDS (ON)
2N5116	-	RFQ	8359	Central de semiconductores	-	Caja	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal			500 MW	Un 18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000	Canal P								25pf @ 15V								30 V	5 Ma @ 15 V	1 v @ 1 na			150 ohmios
CBR10-J010	5.7200	RFQ	337	Central de semiconductores	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, CM		Estándar		Centímetro	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	-CBR10-J010	EAR99	8541.10.0080	400												1.2 v @ 5 a	10 µA @ 100 V	5 A	Fase única	100 V
CBR10-J020	-	RFQ	2996	Central de semiconductores	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, CM		Estándar		Centímetro	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	-CBR10-J020	EAR99	8541.10.0080	400												1.2 v @ 5 a	10 µA @ 200 V	5 A	Fase única	200 V
CBR10-J040	-	RFQ	9957	Central de semiconductores	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, CM		Estándar		Centímetro	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	-CBR10-J040	EAR99	8541.10.0080	400												1.2 v @ 5 a	10 µA @ 400 V	5 A	Fase única	400 V
CBR10-J060	-	RFQ	1147	Central de semiconductores	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, CM		Estándar		Centímetro	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	-CBR10-J060	EAR99	8541.10.0080	400												1.2 v @ 5 a	10 µA @ 600 V	5 A	Fase única	600 V
CBR1F-020	-	RFQ	6482	Central de semiconductores	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Un Estuche		Estándar		Un Caso	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	CBR1F-020 PBFree	EAR99	8541.10.0080	250												1.3 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	1.5 A	Fase única	200 V
CBR1F-100	-	RFQ	1714	Central de semiconductores	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Un Estuche		Estándar		Un Caso	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	CBR1F-100 PBFree	EAR99	8541.10.0080	250												1.3 V @ 1 A	10 µA @ 1000 V	1.5 A	Fase única	1 kV
1N4736A TR PBFREE	0.0522	RFQ	9669	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000												1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 4 V							6.8 V	3.5 ohmios
CBR1-D040S TR13 PBFree	1.1400	RFQ	177	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	CBR1-D040	Estándar		4-smdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000												1.1 v @ 1 a	10 µA @ 400 V	1 A	Fase única	400 V
CBRHDSH1-200 TR13	-	RFQ	9827	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Schottky		Salón de 4 HD	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000												900 MV @ 1 A	50 µA @ 200 V	1 A	Fase única	200 V
CBRLD1-02 TR13	-	RFQ	9110	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Schottky		4-lpdip	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000												1 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	1 A	Fase única	200 V
CBRLD1-04 TR13	-	RFQ	6323	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		4-lpdip	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000												1 V @ 1 A	10 µA @ 400 V	1 A	Fase única	400 V
CBRLDSH1-40 TR13 PBFREE	0.9500	RFQ	8	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	CBRLDSH1	Schottky		4-lpdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000												500 MV @ 1 A	100 µA @ 40 V	1 A	Fase única	40 V
CBRLDSH2-40 TR13 PBFREE	0.8900	RFQ	4	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	CBRLDSH2	Schottky		4-lpdip	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000												500 MV @ 2 A	100 µA @ 40 V	2 A	Fase única	40 V
CMDZ5233B TR PBFREE	0.3600	RFQ	7	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	CMDZ5233		250 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	5 µA @ 3.5 V							6 V	7 ohmios
CMDZ5240B TR PBFREE	0.4100	RFQ	5	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	CMDZ5240		250 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	3 µA @ 8 V							10 V	17 ohmios
1N5255B TR PBFREE	0.4100	RFQ	21	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000												1.1 V @ 200 Ma	100 na @ 21 V							28 V	44 ohmios
CBR1F-D020	-	RFQ	1289	Central de semiconductores	-	Tubo	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Un Estuche		Estándar		Un Caso	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50												1.3 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	1 A	Fase única	200 V
Cmdz5249b tr pbfree	0.0610	RFQ	1755	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	CMDZ5249		250 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	100 na @ 14 V							19 V	23 ohmios
CMHZ5225B TR PBFREE	0.3600	RFQ	10	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	CMHZ5225		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	50 µA @ 1 V							3 V	30 ohmios
CMHZ5255B TR PBFREE	0.0659	RFQ	5713	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	CMHZ5255		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	100 na @ 21 V							28 V	44 ohmios
Cmoz11v tr pbfree	0.5800	RFQ	8	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ11		300 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	100 na @ 8 V							11 V	20 ohmios
CMOZ20L TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ20		250 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	1 µA @ 18 V							20 V	150 ohmios
CMOZ36V TR PBFREE	0.5800	RFQ	5815	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ36		300 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	50 na @ 25.2 V							36 V	90 ohmios
CMOZ3L9 TR PBFREE	0.7400	RFQ	2237	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ3		250 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	5 µA @ 1 V							3.9 V	1600 ohmios
CMOZ3V6 TR PBFREE	0.5600	RFQ	3	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ3		300 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	2 µA @ 1 V							3.6 V	90 ohmios
CMOZ4L7 TR PBFREE	0.8300	RFQ	33	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ4		250 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	1 µA @ 1.5 V							4.7 V	1500 ohmios
CMOZ5V1 TR PBFREE	0.5800	RFQ	3	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	CMOZ5		300 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	2 µA @ 2 V							5.1 V	60 ohmios
CMSZ5254B TR PBFree	0.5100	RFQ	5	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	CMSZ5254		275 MW	Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000												900 MV @ 10 Ma	100 na @ 21 V							27 V	41 ohmios
CMUDM8005 TR PBFREE	0.8500	RFQ	22	Central de semiconductores	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-523	CMUDM8005	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canal P	20 V	650 mA (TA)	1.8V, 4.5V	360mohm @ 350mA, 4.5V	1V @ 250 µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	100 pf @ 16 V	-	300MW (TA)