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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | WNSCM80120WQ | 8.2460 | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSCM80120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N-canal | 1200 V | 42a (TA) | 20V | 98mohm @ 20a, 20V | 4.5V @ 6MA | 59 NC @ 20 V | +25V, -10V | 1350 pf @ 1000 V | - | 230W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT6B-800E, 118 | 0.9900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Actt6 | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | Soltero | 25 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 6 A | 1.5 V | 51a, 56a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42EB-200,118 | 1.6800 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV42 | Estándar | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 30A | 1.2 V @ 30 A | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tyn80W-1600TQ | 6.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Tyn80 | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | 200 MA | 1.6 kV | 126 A | 1 V | 850a, 930a | 80 Ma | 1.47 V | 80 A | 10 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV72EW-200,127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | BYV72 | Estándar | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.2 V @ 30 A | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650W6Q | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | - | 1740-WNSC5D10650W6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 323pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ACTT2S-800ETNJ | 0.2141 | ![]() | 6066 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Actt2 | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934071084118 | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | Soltero | 10 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 2 A | 1 V | 18a, 19.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC04650BJ | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | 934070002118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA204X-600B, 127 | 0.2600 | ![]() | 7027 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BTA204 | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 30 Ma | Estándar | 600 V | 4 A | 1.5 V | 25a, 27a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Byv29d-600pj | 0.6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYV29 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D0512006Q | 0.8343 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 260pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNS30H100CBJ | 1.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | WNS30 | Schottky | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 710 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC16650B6J | 4.0425 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 16 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 16A | 534pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tyn16-600CT, 127 | 0.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Tyn16 | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934066183127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 16 A | 1.3 V | 210a, 231a | 25 Ma | 1.5 V | 10.2 A | 1 MA | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT139B-800F, 118 | 0.4596 | ![]() | 1379 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BT139 | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | Soltero | 45 Ma | Estándar | 800 V | 16 A | 1.5 V | 155a, 170a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600/DG, 412 | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BT131 | Un 92-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 5,000 | Soltero | 5 Ma | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 1 A | 1.5 V | 12.5a, 13.8a | 3 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ105AB, 118 | 0.4219 | ![]() | 7929 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BUJ105 | 125 W | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V | 8 A | 100 µA | NPN | 1V @ 800 Ma, 4a | 13 @ 500 Ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BT137S-600F, 118 | 0.2677 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BT137 | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | Soltero | 20 Ma | Estándar | 600 V | 8 A | 1.5 V | 65a, 71a | 25 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312-600C, 127 | 0.4521 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BTA312 | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 35 Ma | Estándar | 600 V | 12 A | 1.5 V | 95a, 105a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nxpsc06650xq | - | ![]() | 7121 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | 934070152127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC5X-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Byc5 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212B-600F, 118 | 0.5136 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BTA212 | D2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | Soltero | 30 Ma | Estándar | 600 V | 12 A | 1.5 V | 95a, 105a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT2W-800ETNF | 0.1836 | ![]() | 8626 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Actt2 | SC-73 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 4.000 | Soltero | 10 Ma | Estándar | 800 V | 2 A | 1 V | 18a, 20a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600G0Q | 0.2945 | ![]() | 8743 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BT137 | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 934067824127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 40 Ma | Estándar | 600 V | 8 A | 1 V | 65a, 71a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42E-150,127 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV42 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 30A | 1.2 V @ 30 A | 28 ns | 100 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT168G, 112 | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BT168 | Un 92-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 MV | 8a, 9a | 200 µA | 1.7 V | 500 mA | 100 µA | Puerta sensible | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D10650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | 10A | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
BT137S-600,118 | 0.7400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BT137 | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | Soltero | 20 Ma | Estándar | 600 V | 8 A | 1 V | 65a, 71a | 70 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Byc30y-600pq | 0.9132 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc30 | Estándar | IITO-220-2L | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.75 V @ 30 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXPSC04650DJ | - | ![]() | 2836 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz |
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