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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 43ctq100strl | - | ![]() | 8984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | V4P22C-M3/I | 0.2551 | ![]() | 5320 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V4P22C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 2.8a | 870 MV @ 2 A | 50 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | EGP10D-E3/73 | - | ![]() | 3078 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Irkt105/10a | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | Irkt105 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 235 A | 2.5 V | 1785a, 1870a | 150 Ma | 105 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20ETF08SPBF | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20ETF08SPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||
![]() | SML4758HE3/5A | - | ![]() | 1199 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4758 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5265B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 1499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5265 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C3V3-TR | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C3V3 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | 60EPU02 | - | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To-247-2 | 60EPU02 | Estándar | To47ac modificado | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.08 V @ 60 A | 35 ns | 50 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||||||||||||
![]() | VS-60CPF02PBF | - | ![]() | 3964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60CPF02 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 60 A | 180 ns | 100 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||||||||||
![]() | US1B-M3/5at | 0.0825 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1B | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | SSA23L-E3/61T | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||
![]() | VS-20CTH03STRLHM3 | 1.4655 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20CTH03 | Estándar | TO-263 (d²pak) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.25 V @ 10 A | 31 ns | 20 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CDH06-M3/I | 1.1304 | ![]() | 2453 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VS-30CDH06-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 15A | 2.15 V @ 15 A | 41 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | SD103AW-HE3-18 | 0.0570 | ![]() | 9742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZD27B43P-HE3-08 | 0.1238 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B43 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | SS1P6L-E3/84A | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 590 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BYM13-40-E3/97 | 0.6200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | BYM13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BYD33MGP-E3/54 | - | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BYD33 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZG03C220-M3-18 | 0.1815 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.68% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C220 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 750 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBR1100 | - | ![]() | 5679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | MBR1 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 1 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 35pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | AS1FM-M3/I | 0.1089 | ![]() | 9790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Avalancha | DO-219AB (SMF) | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-AS1FM-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.3 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 8.8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BAS170WS-E3-08 | 0.4000 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAS170 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 10 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | PLZ27D-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ27 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | V6PW60-M3/I | 0.2096 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V6PW60-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 6 A | 400 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 6A | 750pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-30WQ06FNTRRHM3 | 0.8410 | ![]() | 5392 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS30WQ06FNTRRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 610 MV @ 3 A | 2 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 145pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKC56/16 | 35.8240 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKC56 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKC5616 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 30A | 10 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | SE20FJ-M3/I | 0.0891 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SE20 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 920 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 13PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
VS-25F120 | 8.8100 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 25f120 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.3 V @ 78 A | 12 Ma @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 40CPQ100 | - | ![]() | 4334 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 40cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 770 MV @ 20 A | 1.25 mA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
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