SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1dhe3_a/h 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
VS-VSKV41/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV41/16 41.4050
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKV41 Cátodo Común: Todos SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKV4116 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6 kV 70 A 2.5 V 850a, 890a 150 Ma 45 A 2 SCRS
FES16BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16BThe3/45 -
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Fes16 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
BYS10-45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bys10-45hm3_a/i 0.0884
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Bys10 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-bys10-45hm3_a/ITR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
VS-150U100DL Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U100DL 35.5104
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 150U100 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS150U100DL EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.47 V @ 600 A -40 ° C ~ 180 ° C 150a -
BZT52C7V5-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C7V5-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZT52-G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C7V5 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
RGP02-16EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-16EHE3/53 -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP02 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.8 V @ 100 Ma 300 ns 5 µA @ 1600 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
BZG05B43-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B43-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 5845 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05B43 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 33 V 43 V 50 ohmios
VS-40CPQ080-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CPQ080-N3 4.4700
RFQ
ECAD 837 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 40cpq080 Schottky To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 40A 910 MV @ 40 A 1.25 mA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
VS-10RIA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10RIA60 11.3275
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -65 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AA, TO-48-3, Stud 10ria60 TO-208AA (TO-48) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 130 Ma 600 V 25 A 2 V 225a, 240a 60 Ma 1.75 V 10 A 10 Ma Recuperación
BAL99-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAL99-G3-08 0.0306
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bal99 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 70 V 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
SB040-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/53 -
RFQ
ECAD 2050 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Mpg06, axial SB040 Schottky Mpg06 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 600 Ma 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 600mA -
SE40PGHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PGHM3_A/I 0.2450
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN SE40 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 4 a 2.2 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
TZMC12-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC12-GS18 0.2300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC12 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
BZX384B16-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B16-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B16 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
BZT52B11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B11-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 4504 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52B11 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8.5 V 11 V 6 ohmios
EGP20B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20B-E3/54 0.8800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial EGP20 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 70pf @ 4V, 1MHz
SB050-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB050-E3/73 -
RFQ
ECAD 6594 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB050 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 600 Ma 5 Ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 600mA -
B140-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-M3/5AT 0.0644
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B140 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-MURB2020CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUrB2020CT-M3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Murb2020 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-MUrB2020CT-M3GI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 1.15 v @ 16 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-18TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ035-N3 -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 18TQ035 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS18TQ035N3 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 600 MV @ 18 A 2.5 mA @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-VSKN26/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN26/12 37.4700
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKN26 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKN2612 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.2 kV 60 A 2.5 V 400a, 420a 150 Ma 27 A 1 scr, 1 diodo
BZG05B33-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B33-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 24 V 33 V 35 ohmios
VB20100S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-M3/4W 0.7209
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB20100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 20 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-18TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045PBF -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 18TQ045 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 18 A 2.5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A -
BZD27B18P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B18P-M3-18 0.1155
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27b-m Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
VI20100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20100C-M3/4W 0.7550
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA VI20100 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 790 MV @ 10 A 800 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045C-E3/8W 0.6001
RFQ
ECAD 4681 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VBT1045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 5A 580 MV @ 5 A 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VX6045PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX6045PW-M3/P 1.6401
RFQ
ECAD 9393 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Schottky Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VX6045PW-M3/P EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 550 MV @ 30 A 1.1 Ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-12CWQ10FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRLHM3 1.3599
RFQ
ECAD 9947 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 12CWQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS12CWQ10FNTRLHM3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 6A 950 MV @ 12 A 1 ma @ 100 V 150 ° C (Máximo)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock