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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GP30MHE3/73	-	RFQ	2771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	GP30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 3 a	5 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SML4750-E3/5A	0.1733	RFQ	2838	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4750		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
UG10CCThe3/45	-	RFQ	6919	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG10	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
AZ23C47-E3-18	0.0415	RFQ	5471	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C47		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 35 V				47 V	100 ohmios
SS26-E3/52T	0.4300	RFQ	239	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS26	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 2 A		400 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
SMAZ5932B-E3/61	0.1219	RFQ	5104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5932		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios
BZX384C5V6-E3-18	0.2400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C5V6		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 2 V				5.6 V	40 ohmios
MMBZ5259C-G3-08	-	RFQ	6614	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5259		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 30 V				39 V	80 ohmios
ESH2C-M3/5BT	0.1257	RFQ	6655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		930 MV @ 2 A	35 ns	2 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-301ura240	-	RFQ	4387	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	301ura240	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS301ura240	EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2400 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
Byg10mhe3_a/i	0.1452	RFQ	5616	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
BZG05C47-M3-08	0.3900	RFQ	7264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.38%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C47		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 36 V				47 V	90 ohmios
BZX384C24-HE3-18	0.0341	RFQ	1484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C24		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 16.8 V				24 V	70 ohmios
MMBZ5239C-G3-08	-	RFQ	6094	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5239		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
TLZ18-GS18	0.0335	RFQ	2596	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ18		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma						18 V	23 ohmios
10ctq150	-	RFQ	2896	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	10ctq	Schottky		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	930 MV @ 5 A		50 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-40HF80M	19.9000	RFQ	57	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40HF80	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 125 A			-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
Au1pdhm3/85a	0.1914	RFQ	8137	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	Au1	Avalancha		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.5 v @ 1 a	75 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	11PF @ 4V, 1MHz
UB10CCT-E3/4W	-	RFQ	1528	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UB10	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4693-He3-18	0.0378	RFQ	6515	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4693		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 5.7 V				7.5 V
MSQ1PGHM3/H	1.5600	RFQ	4784	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	MSQ1	Estándar		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 1 a	650 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	4PF @ 4V, 1MHz
VBT2045CBP-M3/4W	0.9758	RFQ	4782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	10A	580 MV @ 10 A		2 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SBL25L30CT-E3/45	0.9697	RFQ	6107	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL25L30	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	12.5a	490 MV @ 12.5 A		900 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
V60DM120CHM3/I	2.5800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V60DM120	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	30A	970 MV @ 30 A		700 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
BZX384C3V9-HE3-08	0.0341	RFQ	2264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C3V9		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 1 V				3.9 V	90 ohmios
1N444448WS-HE3-08	0.2700	RFQ	42	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	1N4448	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		720 MV @ 5 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
MCL4151-TR	0.2100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	MCL4151	Estándar		Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
MMBZ5233C-G3-18	-	RFQ	2007	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5233		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
MMSZ5263B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	2509	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5263B-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
VS-85HFR10	8.5510	RFQ	9306	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-