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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
VS-16CTQ080G-1PBF	-	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	16CTQ080	Schottky			Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS16CTQ080G1PBF	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	80 V	8A	880 MV @ 16 A		280 µA @ 80 V	175 ° C (Máximo)
CPV363M4F	-	RFQ	2178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-		Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	19-SIP (13 pistas), IMS-2	CPV363		36 W	Estándar	IMS-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	84	Inversor trifásico																					-	600 V	16 A	1.63V @ 15V, 16A	250 µA	No			1.1 NF @ 30 V
BAS40L-G3-08	0.3000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	0402 (1006 Métrica)	BAS40	Schottky			DFN1006-2A	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		1 V @ 40 Ma		10 µA @ 40 V	150 ° C	200 MMA	2.9pf @ 0v, 1 MHz
RGF1A-E3/67A	0.5400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar			DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
FGP20B-E3/54	-	RFQ	2748	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FGP20	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		950 MV @ 2 A	35 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	45pf @ 4V, 1MHz
SS2PH9-M3/85A	0.4400	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS2PH9	Schottky			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												90 V		800 MV @ 2 A		1 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	65pf @ 4V, 1 MHz
BAS16-E3-18	0.2100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS16	Estándar			Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												75 V		1.25 V @ 150 Ma	6 ns	1 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	4PF @ 0V, 1MHz
VS-40HFL100S05	12.3441	RFQ	3113	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	40hfl100	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.95 V @ 40 A	500 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 125 ° C	40A	-
VS-E5PH7506LHN3	4.9700	RFQ	400	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	VS-E5	Estándar			Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH7506LHN3	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 75 A	57 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
BZT52B8V2-HE3_A-18	0.0533	RFQ	2448	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW		SOD-123	descascar				112-BZT52B8V2-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 6 V										8.2 V	7 ohmios
MMBZ4689-HE3-08	-	RFQ	8921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4689		350 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		10 µA @ 3 V										5.1 V
VS-8ETH03-M3	0.9100	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	8eth03	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BA158GP-E3/54	0.1822	RFQ	2459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SML4741AHE3_A/I	0.2063	RFQ	1114	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4741		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 8.4 V										11 V	8 ohmios
GLL4756A-E3/96	0.3256	RFQ	5105	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4756		1 W		Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																		5 µA @ 35.8 V										47 V	80 ohmios
BZX84C56-HE3-18	0.0323	RFQ	6246	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C56		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 na @ 39.2 V										56 V	200 ohmios
TY056S150A6OT	-	RFQ	2865	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Morir	TY056	Schottky			Morir	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0040	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.41 v @ 5 a		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
GB35XF120K	-	RFQ	4628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-		Obsoleto		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Econo2	GB35		284 W	Estándar	-	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	14	Inversor trifásico																					Escrutinio	1200 V	50 A	3V @ 15V, 50A	100 µA	No			3.475 nf @ 30 V
VS-40TPS12LHM3	5.5300	RFQ	613	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	40TPS12				Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	50			300 mA	1.2 kV	55 A	1.7 V	600A @ 50Hz	150 Ma	1.85 V	35 A	500 µA	Recuperación
AZ23C33-E3-18	0.0415	RFQ	7862	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C33		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 25 V										33 V	80 ohmios
BZG05C75-HM3-08	0.4200	RFQ	248	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C75		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V										75 V	135 ohmios
ZMM5227B-13	-	RFQ	4612	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	ZMM52		500 MW		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		ZMM5227B-13GI	EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V										3.6 V	24 ohmios
Fepb16gthe3_a/p	1.1715	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GDZ13B-HE3-08	0.0378	RFQ	5877	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ13		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 10 V										13 V	37 ohmios
VS-1N2138RA	-	RFQ	5576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N2138	Polaridad Inversa Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.3 V @ 188 A		10 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	60A	-
16CTQ060	-	RFQ	4188	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	16CTQ	Schottky			Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-40L45CW-N3	2.2606	RFQ	7097	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	40L45	Schottky			To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS40L45CWN3	EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	530 MV @ 20 A		1.5 Ma @ 45 V	150 ° C (Máximo)
EGP10B-M3/73	-	RFQ	4180	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
UH4PCCHM3/86A	-	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	2A	1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5821-E3/54	0.4400	RFQ	55	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5821	Schottky			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		500 MV @ 3 A		2 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-