SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MMBZ4689-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4689-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8921 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4689 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 10 µA @ 3 V 5.1 V
TVR06D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TVR06D-E3/54 -
RFQ
ECAD 5542 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial TVR06 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 600 Ma 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 600mA 15pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKN41/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN41/10 39.0550
RFQ
ECAD 5471 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKN41 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKN4110 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1 kV 100 A 2.5 V 850a, 890a 150 Ma 45 A 1 scr, 1 diodo
MMSZ5255C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255C-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5255 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
MMSZ4702-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4702-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 9446 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4702 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 11.4 V 15 V
VSKT500-14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKT500-14 -
RFQ
ECAD 1875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Super Magn-A-Pak VSKT500 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 1.4 kV 785 A 3 V 17800A, 18700A 200 MA 500 A 2 SCRS
HFA25PB60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA25PB60 -
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 HFA25 Estándar To47ac modificado descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 25 A 75 ns 20 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
6CWQ10FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6CWQ10FNTRL -
RFQ
ECAD 4752 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 6CWQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 3.5a 810 MV @ 3 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
SS24S-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24S-M3/5AT 0.4700
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS24 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 2 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
1N5624GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 4947 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5624 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 3 µs 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
VS-25F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F10 5.5900
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 25f10 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 78 A 12 Ma @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
GDZ2V4B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 3270 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Gdz Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
MMSZ4716-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4716-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 1694 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4716 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 29.6 V 39 V
1N5255C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5255C-TR 0.0288
RFQ
ECAD 2725 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5255 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
MMBZ5250B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5250B-G3-18 -
RFQ
ECAD 6784 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5250 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
SMAZ5940B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smaz5940b-e3/5a 0.1150
RFQ
ECAD 9417 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz5940 500 MW DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
TLZ2V7B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ2V7B-GS18 0.0422
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ2V7 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
MMSZ5234B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5234B-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
TLZ6V8A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ6V8A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ6V8 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 8 ohmios
GP10K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10K-E3/73 -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
BYS459B-1500E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS459B-1500E3/45 -
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab BYS459 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.3 V @ 6.5 A 350 ns 250 µA @ 1500 V -55 ° C ~ 150 ° C 6.5a -
VS-MUR820PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR820PBF -
RFQ
ECAD 2550 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MUR820 Polaridad Inversa Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
VS-18TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ040STRLHM3 1.1798
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 18TQ040 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-18TQ040STRLHM3TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 18 A 2.5 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A 1400pf @ 5V, 1MHz
RGL34K-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34K-E3/83 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) RGL34 Estándar DO-213AA (GL34) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 9,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 500 Ma 250 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5231C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5231C-G3-18 -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
VS-16RIA100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16ria100 15.1476
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -65 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-208AA, TO-48-3, Stud 16ria100 TO-208AA (TO-48) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 130 Ma 1 kV 35 A 2 V 340a, 360a 60 Ma 1.75 V 16 A 10 Ma Recuperación
BZD27C6V2P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C6V2P-E3-08 0.5300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27c Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27C6V2 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 6.2 V 3 ohmios
AZ23C4V3-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C4V3-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 1623 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C4V3 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 par Ánodo Común 4.3 V 95 ohmios
SML4729A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4729A-E3/5A -
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4729 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 100 µA @ 1 V 3.6 V 10 ohmios
VS-30WQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ03FNTRL-M3 0.2736
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 30WQ03 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS30WQ03FNTRLM3 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 3 A 2 Ma @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 290pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock