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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZG05B47-E3-TR3	-	RFQ	3148	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzg05b	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W		DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 36 V					47 V	90 ohmios
BYWB29-200-E3/81	1.3700	RFQ	954	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-70HFL60S02	14.8000	RFQ	79	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL60	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.85 V @ 219.8 A	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
HFA08TA60C	-	RFQ	9908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	HFA08	Estándar			Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	4A (DC)	1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SE10DGHM3/I	0.9300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	SE10	Estándar			TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.15 V @ 10 A	3 µs	15 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	67pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB2535CTTRRP	-	RFQ	2525	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	35 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BAS70-02V-HG3-08	0.3400	RFQ	204	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523		Schottky			Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	8,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												70 V		1 V @ 15 Ma	5 ns	100 na @ 50 V	125 ° C	200 MMA	1.5pf @ 0v, 1 MHz
DZ23C33-HE3_A-18	-	RFQ	7154	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW		Sot-23-3	descascar				112-DZ23C33-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Cátodo Común																	100 na @ 25 V					33 V	40 ohmios
BZD27B200P-E3-08	0.1155	RFQ	5721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B200		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 150 V					200 V	500 ohmios
VS-ST280C04C0	63.5975	RFQ	2661	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST280				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	400 V	960 A	3 V	7850a, 8220a	150 Ma	1.36 V	500 A	30 Ma	Recuperación
Tzx12b-TR	0.2300	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX12		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.5 V					12 V	35 ohmios
HFA25PB60	-	RFQ	5080	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	HFA25	Estándar			To47ac modificado	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.7 V @ 25 A	75 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
US1DHM3_A/H	0.1845	RFQ	9994	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-US1DHM3_A/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SB550/54	-	RFQ	8925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB550	Schottky			Do-201ad	-	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		650 MV @ 5 A		500 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
GP10-4002EHE3/73	-	RFQ	1236	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V					-	1A	-
VS-82PF120	6.8491	RFQ	3886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	82pf120	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS82PF120	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												120 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
VS-SD600R12PC	158.6317	RFQ	5362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD600	Estándar			B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.31 V @ 1500 A		35 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	600A	-
SMPZ3933B-E3/85A	-	RFQ	7239	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ39		500 MW		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 16.7 V					22 V	17 ohmios
112CNQ030Asl	-	RFQ	3099	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	112CNQ030	Schottky			D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*112CNQ030Asl	EAR99	8541.10.0080	400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	55a	490 MV @ 55 A		3.5 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RGP10BHM3/73	-	RFQ	3179	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
V1pm15hm3/h	0.3800	RFQ	31	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V1PM15	Schottky			MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.21 v @ 1 a		50 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	65pf @ 4V, 1 MHz
SML4764HE3/5A	-	RFQ	5820	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4764		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 76 V					100 V	350 ohmios
VS-T70RIA100	33.7470	RFQ	8554	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	D-55	T70			Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	1 kV	110 A	2.5 V	1660a, 1740a	120 Ma		70 A												1 SCR
Esh2che3_a/i	0.1576	RFQ	9921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		930 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1 MHz
BZG05B11-M3-18	0.1980	RFQ	4871	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Bzg05b11		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 8.2 V					11 V	8 ohmios
MBRD660CT	-	RFQ	2770	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD6	Schottky			D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	3A	700 MV @ 3 A		100 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-10ETF02PBF	-	RFQ	8993	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	10etf02	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs10etf02pbf	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
US1M-E3/5AT	0.3800	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	US1	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
MBRB745HE3_B/I	0.6765	RFQ	8874	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB745	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		570 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
VS-ST230C04C0	52.0358	RFQ	7499	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	A-200ab, A-PUK	ST230				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	400 V	780 A	3 V	5700a, 5970a	150 Ma	1.69 V	410 A	30 Ma	Recuperación