SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55C5V6-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C5V6-GS08 0.2100
RFQ
ECAD 825 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT55 Tape & Reel (TR) Activo - 175 ° C Montaje en superficie Variatura Sod-80 BZT55C5V6 500 MW Césped-80 cuádromal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 40 ohmios
SF5401-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5401-TAP 0.5445
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial SF5401 Estándar Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MMSZ5238B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238B-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 2985 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5238 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
VS-MBR2080CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2080CTPBF -
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C
GLL4745-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4745-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 3830 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf GLL4745 1 W Melf do-213ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
FGP10DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP10DHE3/73 -
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FGP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 2 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKL56/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL56/14 39.9220
RFQ
ECAD 9579 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) VSKL56 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSVSKL5614 EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.4 kV 135 A 2.5 V 1200A, 1256A 150 Ma 60 A 1 scr, 1 diodo
VS-30EPF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF06-M3 5.5000
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 30epf06 Estándar To47ac modificado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.41 v @ 30 a 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BYT56K-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt56k-tap 0.5346
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial Byt56 Avalancha Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 v @ 3 a 100 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MBRB2090CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2090CT -
RFQ
ECAD 7121 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB20 Schottky To-263ab (d²pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 10A 820 MV @ 30 A 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-40TPS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40TPS16-M3 8.6700
RFQ
ECAD 1951 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 40TPS16 To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS40TPS16M3 EAR99 8541.30.0080 25 200 MA 1.6 kV 55 A 2.5 V 500A @ 50Hz 150 Ma 1.85 V 35 A 500 µA Recuperación
MBRB30H90CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H90CThe3/81 -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB30 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 15A 820 MV @ 15 A 5 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C
UB10BCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB10BCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 7596 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab UB10 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 1.1 v @ 5 a 25 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
USB260HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division USB260HM3/5BT 0.2495
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB USB260 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 v @ 2 a 30 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4620-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4620-G3-08 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4620 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 7.5 µA @ 1.5 V 3.3 V 1650 ohmios
ZM4742A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4742A-GS18 0.3900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) ZM4742 1 W DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
BYG10K-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg10k-m3/tr 0.1485
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg10 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 V @ 1.5 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
BZX384C33-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C33-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C33 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 50 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
GDZ36B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ36B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Gdz Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ36 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 27 V 36 V 300 ohmios
RGP02-12EHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12EHE3/73 -
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP02 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 100 Ma 300 ns 5 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
GDZ33B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Gdz Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ33 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 V 33 V 250 ohmios
VS-MURD620CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURD620CT-M3 0.8700
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Murd620 Estándar D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-MURD620CT-M3GI EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 6A 1.2 v @ 6 a 19 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
VT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045CBP-M3/4W 0.8471
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 VT2045 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 580 MV @ 10 A 2 Ma @ 45 V 200 ° C (Max)
SMZG3795A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3795A-E3/52 -
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMZG37 1.5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 13.7 V 18 V 12 ohmios
BZG03C240-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C240-HM3-18 0.1898
RFQ
ECAD 4231 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 5.83% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03C240 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 180 V 240 V 850 ohmios
VS-S731A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S731A -
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S731A - 112-VS-S731A 1
MPG06B-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06B-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 4306 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Mpg06, axial Mpg06 Estándar Mpg06 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
V30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100C-E3/4W 1.7200
RFQ
ECAD 802 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 V30100 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 800 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3806BHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3806BHE3/52 -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ38 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
VS-30WQ04FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ04FNTRL-M3 0.6400
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 30WQ04 Schottky D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 530 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 189pf @ 5V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock