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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
PLZ6V2B-HG3_A/H	0.3600	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, PLZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2.53%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ6V2		960 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500																900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V				6.12 V	10 ohmios
EGL34GHE3_A/H	-	RFQ	7692	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar			Alcanzar sin afectado	EGL34GHE3_B/H	EAR99	8541.10.0070	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.35 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
80epf10	-	RFQ	7402	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	80epf10	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.35 V @ 80 A	480 ns	100 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
VS-1EFH01W-M3-18	-	RFQ	6154	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-219AB	1EFH01	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		930 MV @ 1 A	16 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
60APU06	-	RFQ	2328	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	60APU06	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.68 V @ 60 A	81 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
DZ23C39-G3-08	0.0483	RFQ	5569	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 29 V				39 V	90 ohmios
AZ23C13-HE3-08	0.0436	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C13		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 10 V				13 V	25 ohmios
BZG05B7V5-M3-18	0.1980	RFQ	4689	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B7V5		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V				7.5 V	3 ohmios
UGF18CCT-E3/45	-	RFQ	8059	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF18	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	150 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4151W-G3-18	0.0409	RFQ	2362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	1N4151	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												50 V		1 V @ 50 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
VSSAF5M12-M3/H	0.1238	RFQ	6808	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF5M12	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		890 MV @ 5 A		350 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	5A	420pf @ 4V, 1MHz
Uh4pcchm3_a/h	0.3923	RFQ	6093	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	21pf @ 4V, 1 MHz
V30120C-M3/4W	1.8200	RFQ	929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V30120	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	120 V	15A	970 MV @ 15 A		800 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-16F100	6.0868	RFQ	4375	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16f100	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.23 V @ 50 A		12 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
SS34-M3/9AT	0.2030	RFQ	8420	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BZX584C6V2-VG-08	-	RFQ	4996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c-vg	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		3 µA @ 4 V				6.2 V	10 ohmios
GSD2004WS-E3-18	0.0415	RFQ	5518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GSD2004	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												240 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)	225 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
VS-30CPF04PBF	-	RFQ	2340	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPF04	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.41 v @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
VS-T85HF120	32.5440	RFQ	9557	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T85	Estándar		D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V				20 Ma @ 200 V		85a	-
MBR2545CT-1	-	RFQ	5232	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR2545	Schottky		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*MBR2545CT-1	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-1N3890R	6.9900	RFQ	60	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3890	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.4 v @ 12 a	300 ns	25 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
SMPZ3933B-E3/84A	-	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 16.7 V				22 V	17 ohmios
VS-30EPH03-N3	6.2500	RFQ	405	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	30Eph03	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 V @ 30 A	38 ns	60 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-ST333C08LFM0	204.3967	RFQ	8452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST333			TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3			600 mA	800 V	1435 A	3 V	11000A, 11500A	200 MA	1.96 V	720 A	50 Ma	Recuperación
VS-30ETH06STRL-M3	1.7000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30eth06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2.6 V @ 30 A	35 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
MMSZ5229C-E3-18	0.0433	RFQ	2920	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5229		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		5 µA @ 1 V				4.3 V	22 ohmios
TZQ5252B-GS08	0.0303	RFQ	4998	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5252		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V				24 V	33 ohmios
FES16AT-E3/45	0.6780	RFQ	9598	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Ss5p3hm3_a/i	0.2393	RFQ	4264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss5p3	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		520 MV @ 5 A		250 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
SMZG3802B-M3/5B	0.2485	RFQ	9949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG3802		1.5 W	DO-215AA (SMBG)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		5 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios