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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-71HF140	14.6379	RFQ	1837	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	71HF140	Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1400 V		1.46 V @ 220 A		4.5 Ma @ 1400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	70a	-
VS-25ETS10Strl-M3	1.2022	RFQ	9850	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25ets10	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.14 v @ 25 a		100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	25A	-
BZX584C33-G3-08	0.3000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW		Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000																		50 na @ 23.1 V					33 V	35 ohmios
VS-20TQ035S-M3	0.7745	RFQ	1043	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ035	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												35 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
MBR20H50CThe3/45	-	RFQ	5902	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR20	Schottky			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	10A	710 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VSKD270-16	-	RFQ	2779	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD270	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	270a			50 mA @ 1600 V
VS-SD1700C45K	288.7500	RFQ	1544	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Apretar	DO-200AC, K-PUK	SD1700	Estándar			DO-200AC, K-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												4500 V		2.11 V @ 4000 A		75 Ma @ 4500 V		1875A	-
Vit3060c-M3/4W	0.7910	RFQ	3229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Vit3060	Schottky			Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	15A	700 MV @ 15 A		1.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Irkj71/14a	-	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkj71	Estándar			Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	1400 V	80A			10 Ma @ 1400 V
VSKC320-12	-	RFQ	9971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKC320	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	1200 V	320A			50 Ma @ 1200 V
SML4757A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4757		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		5 µA @ 38.8 V					51 V	95 ohmios
Gp10the3/73	-	RFQ	7793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1300 V		1.3 V @ 1 A	3 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
VS-ETL1506-1-M3	0.7542	RFQ	2256	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	ETL1506	Estándar			Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSETL15061M3	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.07 v @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
V35PW60HM3/I	1.4300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V35PW60	Schottky			Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		720 MV @ 35 A		5 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	35a	3600pf @ 4V, 1MHz
VS-ST330S16P1	231.0000	RFQ	8605	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AE, TO-118-4, Stud	ST330				TO-209AE (TO-118)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST330S16P1	EAR99	8541.30.0080	6			600 mA	1.6 kV	520 A	3 V	7570a, 7920a	200 MA	1.52 V	330 A	50 Ma	Recuperación
S3khe3_a/h	0.1910	RFQ	8112	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3K	Estándar			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
VS-48CTQ060PBF	-	RFQ	4553	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	48CTQ060	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SML4758HE3/5A	-	RFQ	1199	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4758		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																		5 µA @ 42.6 V					56 V	110 ohmios
MUR120-E3/54	-	RFQ	3329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	MUR120	Estándar			DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-20ETS12FP-M3	2.9200	RFQ	518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	20ets12	Estándar			To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		1.3 V @ 20 A	95 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMSZ5240C-HE3-18	0.0454	RFQ	3149	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5240		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		3 µA @ 8 V					10 V	17 ohmios
DZ23C12-HE3-08	0.3300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 9 V					12 V	20 ohmios
VS-T90RIA20	36.5300	RFQ	7117	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T90			Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	200 V	141 A	2.5 V	1780a, 1870a	120 Ma		90 A												1 SCR
SE20PAJ-M3/I	0.4100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE20	Estándar			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.05 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.6a	13PF @ 4V, 1MHz
LL103C-GS18	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL103	Schottky			Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												20 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 10 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
SB320-E3/73	-	RFQ	9158	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB320	Schottky			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-T70HF80	28.4620	RFQ	8945	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T70	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V				15 Ma @ 800 V		70a	-
Tzx6v8d-tap	0.2300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx6v8		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 3.5 V					6.8 V	15 ohmios
BZT52B6V8-E3-18	0.0415	RFQ	1513	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B6V8		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 3 V					6.8 V	4.5 ohmios
AZ23B27-HE3_A-18	-	RFQ	9645	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW		Sot-23-3	descascar				112-AZ23B27-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																	50 na @ 18.9 V					27 V	80 ohmios