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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
PLZ10A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ10A-G3/H 0.3100
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Por favor Tape & Reel (TR) Activo ± 3% 150 ° C Montaje en superficie DO-219AC PLZ10 500 MW DO-219AC (microsmf) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.500 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 7 V 10 V 8 ohmios
MMBZ5250C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5250C-G3-08 -
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5250 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
PLZ27A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ27A-G3/H 0.3200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Por favor Tape & Reel (TR) Activo ± 3% 150 ° C Montaje en superficie DO-219AC PLZ27 500 MW DO-219AC (microsmf) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.500 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 19 V 27 V 45 ohmios
SSA24-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA24-E3/61T 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSA24 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 2 A 200 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
VS-SD1100C22L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C22L 112.9167
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Montaje DO-200AA, A-PUK SD1100 Estándar B-43, hockey puk descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSSD1100C22L EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2200 V 1.44 V @ 1500 A -40 ° C ~ 150 ° C 1100A -
1N4739A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4739A-T -
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4739 1.3 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 7 V 9.1 V 700 ohmios
IRKT162/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt162/04 -
RFQ
 ECAD 2164 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak (3 + 4) Irkt162 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irkt162/04 EAR99 8541.30.0080 3 200 MA 400 V 355 A 2.5 V 4870a, 5100a 150 Ma 160 A 2 SCRS
GP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHE3/73 -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
MMSZ4706-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4706-HE3-08 0.0378
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4706 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 14.4 V 19 V
SD103BW-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BW-E3-18 0.0543
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 350 mm 50pf @ 0v, 1 MHz
MBRF15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H60CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 1318 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF15 Schottky ITO-220AB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
RGP15B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15B-E3/73 -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial RGP15 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a -
30EPF12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30EPF12 -
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 30EPF12 Estándar To47ac modificado descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.41 v @ 30 a 160 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-30EPF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF12PBF -
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 30EPF12 Estándar To47ac modificado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.41 v @ 30 a 160 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-95PF80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PF80 6.4340
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 95pf80 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS95PF80 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 267 A -55 ° C ~ 180 ° C 95a -
RS2DHE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs2dhe3/52t -
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
BZG05B100-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B100-HM3-08 0.2079
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05B100 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 75 V 100 V 350 ohmios
SML4746HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4746HE3/5A -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 10% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4746 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
VS-ETU3006-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006-1HM3 2.5823
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA ETU3006 Estándar Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSETU30061HM3 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.65 V @ 30 A 26 ns 30 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
BZG05C4V7-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-HE3-TR -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05C Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 1 V 4.7 V 13 ohmios
SS1FH6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FH6HM3/H 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS1FH6 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 3 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 90pf @ 4V, 1MHz
BYVB32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-150HE3_A/P 0.9405
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab BYVB32 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 18A 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C
TLZ39E-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ39E-GS18 0.0335
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ39 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 35.5 V 39 V 85 ohmios
BZX55C27-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C27-TR 0.0292
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C27 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
BZX55F3V3-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzx55f3v3-tap -
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 3.3 V 85 ohmios
80CPQ020 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 80cpq020 -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 80cpq Schottky To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 40A 460 MV @ 40 A 5.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
30CPU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CPU04 -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 30CPU Estándar To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 15A 1.25 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
SB330/4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB330/4 -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB330 Schottky Do-201ad descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 490 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZX84B3V3-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V3-HE3-18 0.0341
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX84 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bzx84b3v3 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
1N4944GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GPHE3/73 -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4944 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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