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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-UFB310CB40	19.6763	RFQ	6571	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB310	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB310CB40	EAR99	8541.10.0080	160		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	400 V	155a	1.34 V @ 100 A	9 ns	50 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C
P600A-E3/73	-	RFQ	3861	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	P600	Estándar		P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												50 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
1N4007-E3/54	0.3700	RFQ	55	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4007	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 1000 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
Smzj3793bhm3/h	-	RFQ	7922	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750																		5 µA @ 11.4 V						15 V	9 ohmios
BZM55C3V9-TR	0.2800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C3V9		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						3.9 V	600 ohmios
GL41YHE3/96	0.4800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1600 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
DZ23C6V8-E3-08	0.0415	RFQ	5044	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 3 V						6.8 V	8 ohmios
MMSZ5259B-G3-08	0.0409	RFQ	3014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5259		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 30 V						39 V	80 ohmios
VS-S1144	-	RFQ	8512	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1144				-				112-VS-S1144			1
MMSZ5262B-E3-18	0.0360	RFQ	1326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5262		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 39 V						51 V	125 ohmios
Byg10k-e3/tr3	0.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
FESB16AT-E3/81	1.0323	RFQ	6616	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		975 MV @ 16 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	175pf @ 4V, 1MHz
V20pwm60hm3/i	1.0200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM60	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		700 MV @ 20 A		1.2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	20A	2320pf @ 4V, 1MHz
VS-ST380C06C1	103.4917	RFQ	3822	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST380			TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST380C06C1	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	600 V	1900 A	3 V	12600A, 13200A	200 MA	1.6 V	960 A	50 Ma	Recuperación
BZG05C47-HM3-08	0.4200	RFQ	940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.38%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C47		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 36 V						47 V	90 ohmios
V40100PGW-M3/4W	-	RFQ	9070	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	V40100	Schottky		TO-3PW	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	20A	850 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-36MB60A	8.7200	RFQ	8396	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, D-34	36Mb60	Estándar		D-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20																		10 µA @ 600 V		35 A		Fase única	600 V
BZT55B39-GS18	0.0433	RFQ	3507	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B39		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 30 V						39 V	90 ohmios
SMZJ3795B-E3/5B	0.1546	RFQ	1210	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3795		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		5 µA @ 13.7 V						18 V	12 ohmios
MURS120-M3/5BT	0.1427	RFQ	7066	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs120	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
MBRB10H45-E3/45	-	RFQ	5407	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		630 MV @ 10 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
S8j-e3/i	0.6300	RFQ	8220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S8J	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)					3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 1A (IO)												600 V		975 MV @ 8 A	3.6 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.6a	72pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V9-HE3_A-08	0.0533	RFQ	4747	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C3V9-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000																		2 µA @ 1 V						3.9 V	95 ohmios
SD103BW-E3-08	0.3500	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
Byg10ghe3_a/i	0.1403	RFQ	9877	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
VI20100S-E3/4W	0.6846	RFQ	3584	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI20100	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		900 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
TZMC1V0-M-08	-	RFQ	8592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmc1v0		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500																1.5 V @ 200 Ma								1 V
UG8HCT-E3/45	-	RFQ	4603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG8	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	500 V	4A	1.75 v @ 4 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C15-HE3_A-08	-	RFQ	7549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23C15-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común																	50 na @ 10.5 V						15 V	30 ohmios
SMZG3795A-E3/5B	-	RFQ	3061	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG37		1.5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200																		5 µA @ 13.7 V						18 V	12 ohmios