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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SMPZ3928B-E3/85A	-	RFQ	8179	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V						13 V	7 ohmios
SML4741AHE3_A/H	0.2253	RFQ	8320	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4741		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800								5 µA @ 8.4 V						11 V	8 ohmios
Au3pj-m3/87a	0.4455	RFQ	7393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.9 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.7a	72pf @ 4V, 1MHz
AZ23B15-HE3-18	0.0534	RFQ	1339	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B15		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 11 V						15 V	30 ohmios
B360A-M3/5AT	0.4300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	B360	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		720 MV @ 3 A		200 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	145pf @ 4V, 1MHz
BYV26EGP-E3/54	0.6000	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BYV26	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-8ETH03SHM3	0.9290	RFQ	8945	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	8eth03	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-vs-8eth03shm3	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
DZ23C33-G3-18	0.0483	RFQ	2425	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 25 V						33 V	80 ohmios
V40DL63CHM3/I	2.4600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V40DL63	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	590 MV @ 20 A		600 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SL23-M3/5BT	0.1464	RFQ	8295	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL23	Schottky		DO-214AA (SMB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
AZ23B6V2-HE3-08	0.0534	RFQ	8631	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V2		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 2 V						6.2 V	10 ohmios
VS-VSUD360CW40	49.7200	RFQ	174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	VSUD360	Estándar		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSUD360CW40	EAR99	8541.10.0080	10		-	1 par Cátodo Común	400 V	510A	1.5 V @ 360 A	74 ns	1.28 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ150-1-M3	0.8536	RFQ	6717	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	20ctq150	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	880 MV @ 10 A		25 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-VS30ELR25S20	-	RFQ	8574	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS30				-				112-VS-VS30ELR25S20			1
UG1B-E3/73	-	RFQ	2335	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UG1	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
RMPG06GHE3/73	-	RFQ	5624	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
Uh4pcchm3_a/i	0.3816	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	21pf @ 4V, 1 MHz
Tzx7v5c-tr	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx7v5		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 V	15 ohmios
AZ23B4V3-E3-08	0.0509	RFQ	8805	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B4V3		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común													4.3 V	95 ohmios
VSSAF5L45-M3/6A	0.7000	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF5L45	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		560 MV @ 5 A		650 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	740pf @ 4V, 1MHz
VS-10ETS12FP-M3	2.3200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	10ets12	Estándar		To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-10ETS12FP-M3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 v @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VBT6045CBP-M3/8W	1.6536	RFQ	9854	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT6045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	640 MV @ 30 A		3 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SML4751AHE3_A/I	0.2063	RFQ	8925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4751		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 22.8 V						30 V	40 ohmios
FES16HT-E3/45	1.5900	RFQ	975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MMSZ4697-E3-18	0.0360	RFQ	8617	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4697		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 7.6 V						10 V
SML4764HE3/61	-	RFQ	7385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4764		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800								5 µA @ 76 V						100 V	350 ohmios
MMBZ5246B-G3-08	-	RFQ	4364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5246		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 12 V						16 V	17 ohmios
Smaz5931b-m3/5a	0.1063	RFQ	7242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5931		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 13.7 V						18 V	12 ohmios
Bu2008-m3/45	1.9276	RFQ	3750	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, BU	BU2008	Estándar		isocink+™ bu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20						1.05 v @ 10 a		5 µA @ 800 V		20 A		Fase única	800 V
1N5062GP-E3/73	-	RFQ	4646	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5062	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz