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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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AZ23C16-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C16 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 12 V | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2C-M3/52T | 0.1379 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2C | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 2 A | 30 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 18pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
VS-12FR10 | 3.2473 | ![]() | 6619 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FR10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.26 v @ 38 a | 12 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||||
RGP25MHE3/54 | - | ![]() | 4042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | RGP25 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 2.5 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2.5a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTH02PBF | - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30CTH02 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.05 v @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
BZX84B2V7-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B2V7 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5-TR | 0.2300 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C7V5 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B7V5-GS18 | 0.0433 | ![]() | 2997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55B7V5 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||
UG06D/54 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | UG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 600 Ma | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS8P2CL-M3/87A | 0.2749 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS8P2 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 4A | 540 MV @ 4 A | 300 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1N3892R | - | ![]() | 8877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3892 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 v @ 12 a | 300 ns | 25 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C20-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C20 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Irkd236/08 | - | ![]() | 4224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | Irkd236 | Estándar | Módulo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irkd236/08 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 800 V | 230A | 20 Ma @ 800 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRKC71/14A | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | Irkc71 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1400 V | 80A | 10 Ma @ 1400 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736A-TR | 0.3700 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4736 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
MMBZ4710-G3-18 | - | ![]() | 5322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4710 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 na @ 19 V | 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-43CTQ100GSPBF | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VS43CTQ100GSPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 980 MV @ 40 A | 1 ma @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ13B-GS08 | - | ![]() | 9042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ13 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 11.9 V | 12.88 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S-E3/45 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF01 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8ETH06S-M3 | 1.0700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 8eth06 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CS1M-E3/I | - | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CS1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
VS-VSKL26/06 | 35.9160 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKL26 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKL2606 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 600 V | 60 A | 2.5 V | 400a, 420a | 150 Ma | 27 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
![]() | VB40100G-E3/8W | 1.1831 | ![]() | 1534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB40100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-3EJH01-M3/6A | 0.1537 | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3EJH01 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 3 A | 18 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
BZX84B33-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 5025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B33 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYQ28EF-150HE3_A/P | - | ![]() | 7391 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BYQ28 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 1.1 v @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
GSIB1540N-M3/45 | 1.8371 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1540 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UH4PDC-M3/87A | - | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH4 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 2A | 1.05 v @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
VSIB680-E3/45 | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB68 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 800 V | 2.8 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10W-E3/53 | - | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz |
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