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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S5D-M3/9AT | 0.1549 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5d | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | V10pwm153hm3/i | 0.3675 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-V10PWM153HM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 840 MV @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 650pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZX85B8V2-TAP | 0.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B8V2 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||
![]() | SRP600B-E3/54 | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | P600, axial | SRP600 | Estándar | P600 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 6 A | 100 ns | 10 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | BZX384C3V9-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C3V9 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG05C39TR | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 30 V | 39 V | 1000 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZW03D150-TAP | - | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 110 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||||
![]() | Tzx30a-tap | 0.0285 | ![]() | 5228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta y Caja (TB) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx30 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 23 V | 30 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | SMBZ5932B-E3/52 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5932 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||
![]() | GBPC104L-6740E4/51 | - | ![]() | 4569 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | GBPC104 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ4685-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4685 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 V | ||||||||||||||
MMBZ5236B-HE3-18 | - | ![]() | 1218 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-ET1506-1HM3 | 1.9455 | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | ETH1506 | Estándar | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSETH15061HM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.45 V @ 15 A | 42 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||
![]() | US1GHM3_A/I | 0.1193 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1G | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-US1GHM3_A/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZW03D220-TR | - | ![]() | 1105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 158 V | 220 V | 700 ohmios | ||||||||||||
![]() | B380C800G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Wog | B380 | Estándar | Montar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 900 Ma | 10 µA @ 600 V | 900 mA | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | BZG03C13-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.54% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03C13 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-30ETS12S2L-M3 | 1.6380 | ![]() | 7617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 30ets12 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 V @ 30 A | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||
DZ23C7V5-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | |||||||||||||
BZX84B51-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B51 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SB250-E3/54 | 0.1104 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB250 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 680 MV @ 2 A | 500 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | Es3ghe3/9at | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ4683-HE3-08 | 0.0368 | ![]() | 4473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4683 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 800 na @ 1 V | 3 V | ||||||||||||||
![]() | 3N259-M4/51 | - | ![]() | 6269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N259 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
![]() | BZD27C13P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD17C20P-E3-08 | 0.1356 | ![]() | 1663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15 V | 20 V | |||||||||||||
MMBZ5252C-HE3-18 | - | ![]() | 9678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5252 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG05C33-HE3-TR | - | ![]() | 7530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 24 V | 33 V | 35 ohmios | ||||||||||||
MMBZ5231C-G3-08 | - | ![]() | 4386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5231 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG05C39-HM3-08 | 0.1172 | ![]() | 1942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C39 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 30 V | 39 V | 50 ohmios |
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