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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGP10GHM3/73 | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SS2P6-E3/85A | - | ![]() | 3089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS2P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZG05C82TR3 | - | ![]() | 9582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 3000 ohmios | |||||||||||
![]() | RGP10J-E3/53 | - | ![]() | 5145 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
BZX84B6V2-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B6V2 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-HFA15TB60-1PBF | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | HFA15 | Estándar | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSHFA15TB601PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||
MMBZ5253C-HE3-08 | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5253 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | |||||||||||||
![]() | VLZ36C-GS08 | - | ![]() | 2660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ36 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 31.7 V | 34.27 V | 75 ohmios | |||||||||||
![]() | V40100G-M3/4W | 0.9851 | ![]() | 5513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V40100 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | TZMB10-GS18 | 0.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmb10 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | S5G-M3/57T | 0.1549 | ![]() | 6021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5G | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RGP15A-E3/54 | 0.2320 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | RGP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | RGP02-20E-M3/54 | - | ![]() | 7711 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 5PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZD27B120P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27B | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B120 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91 V | 120 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | BZW03C110-TAP | - | ![]() | 2540 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 82 V | 110 V | 125 ohmios | |||||||||||
![]() | UGF10GCT-E3/45 | - | ![]() | 3160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | UGF10 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | MBRB2060CThe3/81 | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 150 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-S1408 | - | ![]() | 6688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1408 | - | 112-VS-S1408 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | V8P10HE3/87A | - | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8P10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 680 MV @ 8 A | 70 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | Fesf8bthe3_a/p | 0.9405 | ![]() | 2406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | FESF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | GDZ15B-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 5184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ15 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohmios | ||||||||||||
![]() | VT3060C-E3/4W | 1.4200 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT3060 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 570 MV @ 15 A | 2 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZX55C6V2-TR | 0.1900 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C6V2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | ZM4754A-GS18 | 0.1089 | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4754 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | ZM4754AGS18 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX384C5V1-G3-18 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C5V1 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX85C62-TAP | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C62 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||
![]() | GP02-20HM3/73 | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
BAV23C-G3-18 | 0.0539 | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BAV23C-G | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | VT5202-M3/4W | 0.8000 | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | VT5202 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 880 MV @ 5 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 5A | 1216pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
MMBZ5262B-E3-08 | - | ![]() | 8563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5262 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios |
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