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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VB20100SG-E3/4W	0.4950	RFQ	8474	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.07 V @ 20 A		350 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMBZ4711-He3-18	-	RFQ	6921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4711		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 na @ 20.4 V				27 V
1N4944GP-M3/73	-	RFQ	9023	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4944	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
MURS120-M3/5BT	0.1427	RFQ	7066	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs120	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		875 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SBLB10L30HE3/81	-	RFQ	3921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB10L30	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		520 MV @ 10 A		1 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Esh2pbhe3/84a	-	RFQ	6228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	ESH2	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		980 MV @ 2 A	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3809BHM3_A/H	0.1815	RFQ	1310	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3809		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750								5 µA @ 51.7 V				68 V	120 ohmios
VS-HFA04SD60SRHM3	0.9590	RFQ	4969	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA04	Estándar		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSHFA04SD60SRHM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-
V3pm10-m3/i	0.1036	RFQ	9507	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3PM10	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V3PM10-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		560 MV @ 1.5 A		200 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.1a	300pf @ 4V, 1MHz
Irke71/16a	-	RFQ	5401	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (2)	Irke71	Estándar		Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V				10 Ma @ 1600 V		80A	-
SBLB1640CT-E3/81	-	RFQ	4430	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1640	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
Rs1g-e3/61t	0.4700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
GP10BE-E3/54	0.1840	RFQ	5881	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-70HFL40S02	10.3722	RFQ	2949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.85 V @ 219.8 A	200 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
VS-70HFR10	8.0500	RFQ	5167	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.35 V @ 220 A		15 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
VS-16CTQ080SPBF	-	RFQ	3764	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	16CTQ080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS16CTQ080SPBF	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	8A	880 MV @ 16 A		550 µA @ 80 V	175 ° C (Máximo)
AZ23B8V2-HE3_A-18	-	RFQ	4755	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23B8V2-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							700 na @ 5 V				8.2 V	15 ohmios
Tzx3v0c-tr	0.2400	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx3v0		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 500 MV				3 V	100 ohmios
VS -50SQ035TR	-	RFQ	1342	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	150SQ035	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS150SQ035TR	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		540 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
VLZ16B-GS18	-	RFQ	6426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ16		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 14.5 V				15.65 V	18 ohmios
VS-MBRS190-M3/5BT	0.4900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	MBRS190	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		780 MV @ 1 A		500 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	42pf @ 5V, 1 MHz
BZG04-82-HM3-08	0.2079	RFQ	5325	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-82		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 82 V				100 V
MBRB15H35CT-E3/81	-	RFQ	8075	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZG05B75-E3-TR3	-	RFQ	7142	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzg05b	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V				75 V	135 ohmios
VS-18TQ045SPBF	-	RFQ	8475	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	18TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 18 A		2.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	1400pf @ 5V, 1MHz
TZMC4V3-M-18	0.0324	RFQ	7776	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmc4v3		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				4.3 V	90 ohmios
VS-12FR10	3.2473	RFQ	6619	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12FR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.26 v @ 38 a		12 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
VSKD600-08	-	RFQ	1044	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD600	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	800 V	600A	1.24 V @ 1800 A		50 Ma @ 800 V
VSSAF5M6HM3/I	0.4800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Saf5m6	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		660 MV @ 5 A		350 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	5A	580pf @ 4V, 1MHz
1N4757A-TR	0.3600	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4757		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 V	95 ohmios