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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-2EYH02HM3/H | 0.4500 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 2eyh02 | Estándar | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 2 A | 28 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12pf @ 200V | ||||||||||||||||||
 | EDF1BS-E3/77 | 1.2300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EDF1 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||
 | BZT52C24-E3-18 | 0.2700 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C24 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | GBL04-M3/45 | 0.8801 | | 2309 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBL04 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-GBL04-M3/45 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 3 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||||
 | EGL34Ghe3/83 | - | | 1405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | EGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| DF01SA-E3/77 | 0.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF01 | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||
| VS-93MT160KS90PBF | - | | 5513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 93MT160 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS93MT160KS90PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||||||||||
 | SML4756-E3/5A | 0.1733 | | 1929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4756 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | M100M-E3/54 | - | | 4641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | M100 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
 | GSIB620-E3/45 | 2.4800 | | 142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB620 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 950 MV @ 3 A | 10 µA @ 200 V | 2.8 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
 | VS-36MT100 | 18.6300 | | 4714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 5 Cuadrado, D-63 | 36MT100 | Estándar | D-63 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µA @ 1000 V | 35 A | Fase triple | 1 kV | |||||||||||||||||||||
| ES1CHE3/61T | - | | 8974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES1 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | B6S-E3/80 | 0.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | B6S | Estándar | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 500 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | VS-GT100DA120UF | 41.5000 | | 1995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT100 | 890 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Zanja | 1200 V | 187 A | 2.55V @ 15V, 100A | 100 µA | No | 6.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||
 | BZX384B22-G3-08 | 0.0445 | | 7638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B22 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZD27B24P-E3-08 | 0.1155 | | 4858 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | PLZ5V1B-HG3_A/H | 0.3100 | | 43 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ5V1 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 5.07 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | SMPZ3940B-E3/84A | - | | 6107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Smaz5931b-m3/5a | 0.1063 | | 7242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5931 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||
| VS-VS19BFR12LFK | - | | 8857 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS19 | - | 112-VS-VS19BFR12LFK | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBZ5248C-E3-18 | - | | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5248 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | TLZ4V7C-GS18 | 0.0335 | | 6309 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ4V7 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 3KBP06M-E4/45 | - | | 7615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3kbp06 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.05 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | BZM55B5V1-TR | 0.3200 | | 6201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55B5V1 | 500 MW | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MMSZ4707-E3-08 | 0.2700 | | 43 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4707 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 na @ 15.2 V | 20 V | ||||||||||||||||||||||
| 3N255-M4/51 | - | | 6142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N255 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
 | VS-60MT80KPBF | 69.1800 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 60mt80 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 60 A | Fase triple | 800 V | ||||||||||||||||||||||
| BZG05C33TR | - | | 2362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 24 V | 33 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||||||||
| GSIB2540-E3/45 | 2.9200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2540 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 3.5 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||
| BZX84B24-HE3_A-08 | 0.0498 | | 3028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B24-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios |
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