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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-SD400R24PC	106.5767	RFQ	3497	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	SD400	Estándar			DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2400 V		1.62 v @ 1500 A		15 Ma @ 2400 V	-40 ° C ~ 190 ° C	400A	-
SD101CW-G3-08	0.3800	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD101	Schottky			SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												40 V		900 MV @ 15 Ma	1 ns	200 na @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	30mera	2.2pf @ 0V, 1MHz
Irkh56/16a	-	RFQ	1029	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkh56			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10			200 MA	1.6 kV	135 A	2.5 V	1310a, 1370a	150 Ma		60 A												1 scr, 1 diodo
BZT52C39-HE3_A-18	0.0533	RFQ	4141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW		SOD-123	descascar				112-BZT52C39-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 29 V					39 V	87 ohmios
Tzx6v8b-tap	0.2300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx6v8		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 3.5 V					6.8 V	15 ohmios
SS3P3HE3/85A	-	RFQ	2306	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Ss3p3	Schottky			DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		580 MV @ 3 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SS2H10HE3_A/H	0.4800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS2H10	Schottky			DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		790 MV @ 2 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
MMSZ5247C-G3-08	0.0483	RFQ	1158	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5247		500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 13 V					17 V	19 ohmios
P600D-E3/73	0.7700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	P600, axial	P600	Estándar			P600	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz
VS-ST173C12CFK1	87.4958	RFQ	2665	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST173				A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST173C12CFK1	EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	610 A	3 V	3940a, 4120a	200 MA	2.07 V	330 A	40 Ma	Recuperación
AZ23B27-G3-08	0.0594	RFQ	4751	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B27		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común																	100 na @ 20 V					27 V	80 ohmios
Byg10g-m3/tr3	0.1485	RFQ	7505	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
SS8P3CLHM3/86A	-	RFQ	2647	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss8p3	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	4A	540 MV @ 4 A		300 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SS12P2LHM3_A/H	0.4534	RFQ	4229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P2	Schottky			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		560 MV @ 12 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	930pf @ 4V, 1MHz
VS-MUR1620CTPBF	-	RFQ	9602	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	MUR1620	Estándar			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	8A	950 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-MUrB1620CTPBF	-	RFQ	4084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1620	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	8A	975 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZX384C6V8-G3-08	0.0389	RFQ	6212	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C6V8		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		2 µA @ 4 V					6.8 V	15 ohmios
SE8D30G-M3/H	0.4100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads		Estándar			Slimsmaw (DO-221AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.1 v @ 3 a	1.2 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	19PF @ 4V, 1MHz
Au3pk-m3/86a	0.9800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au3	Avalancha			TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												800 V		2.5 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	42pf @ 4V, 1 MHz
Irkj56/04a	-	RFQ	1293	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (2)	Irkj56	Estándar			Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	400 V	60A			10 Ma @ 400 V
VS-6EWH06FNTRR-M3	0.3800	RFQ	8329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6ewh06	Estándar			D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS6EWH06FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		2.1 v @ 6 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
BZM55C68-TR3	0.0368	RFQ	4565	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C68		500 MW		Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 51 V					68 V	1000 ohmios
ES1CHE3/61T	-	RFQ	8974	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	ES1	Estándar			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
SGL41-20-E3/1	-	RFQ	1876	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	SGL41	Schottky			GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
BZX84B47-G3-08	0.0389	RFQ	7413	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B47		300 MW		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		50 na @ 32.9 V					47 V	170 ohmios
BZT52C10-G3-08	0.0409	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C10		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		100 na @ 7.5 V					10 V	15 ohmios
1N4947GPHM3/73	-	RFQ	1237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4947	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-220CNQ030PBF	53.6200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	220CNQ030	Schottky			TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	110A	490 MV @ 110 A		10 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Rgf1khe3_b/i	-	RFQ	8030	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	Rgf1k	Estándar			DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-RGF1KHE3_B/ITR	EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
153CMQ080	-	RFQ	9344	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-249AA (Modificado), D-60	153cmq	Schottky			D-60	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*153CMQ080	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	80 V	150a	1.19 v @ 150 A		1.5 Ma @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C