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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GBU6J-1M3/51	-	RFQ	3197	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar		Gbu	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 6 a		5 µA @ 600 V		3.8 A		Fase única	600 V
EGL41A-E3/97	0.1417	RFQ	3380	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
GBU6KL-5300E3/51	-	RFQ	7395	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar		Gbu	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 6 a		5 µA @ 800 V		3.8 A		Fase única	800 V
GBU4A-M3/45	1.0938	RFQ	9400	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800					1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		3 A		Fase única	50 V
VLZ7V5B-GS18	-	RFQ	4685	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ7V5		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.73 V						7.26 V	8 ohmios
GBU8K-4M3/51	-	RFQ	8659	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU8	Estándar		Gbu	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 8 a		5 µA @ 800 V		3.9 A		Fase única	800 V
BZT52C51-G3-08	0.0409	RFQ	2469	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C51		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 38 V						51 V	70 ohmios
V40PW22CHM3/I	2.8200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	20A	970 MV @ 20 A		250 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5250C-E3-08	0.3200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5250		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							100 na @ 15 V						20 V	25 ohmios
VSIB1520-E3/45	-	RFQ	8882	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GSIB-5S	VSIB15	Estándar		GSIB-5S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.200					950 MV @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		3.5 A		Fase única	200 V
ZGL41-130A-E3/96	0.5600	RFQ	7823	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	ZGL41		1 W	GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 98.8 V						130 V	450 ohmios
SS10P4CHM3/86A	-	RFQ	7238	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10P4	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	5A	530 MV @ 5 A		550 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-80-7583	-	RFQ	8549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7583				-				112-VS-80-7583			1
MB2S-E3/45	0.5100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-269AA, 4-besop	MB2	Estándar		TO-269AA (MBS)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	100					1 V @ 400 Ma		5 µA @ 200 V		500 mA		Fase única	200 V
W01G-E4/1	-	RFQ	6628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog		Estándar		Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1.5 A		Fase única	100 V
TZS4715-GS08	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZS4715		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 100 Ma		10 µA @ 27.3 V						36 V
V40d120chm3/i	1.1811	RFQ	7919	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V40D120	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	20A	890 MV @ 20 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BU1006A-M3/51	1.1057	RFQ	8870	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, BU	BU1006	Estándar		isocink+™ bu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250					1.1 v @ 5 a		10 µA @ 600 V		10 A		Fase única	600 V
VS-20BQ030-M3/5BT	0.5000	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	20BQ030	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		470 MV @ 2 A			-55 ° C ~ 150 ° C	2a	200pf @ 5V, 1MHz
VS-HFA08TB120-M3	1.4500	RFQ	3892	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	HFA08	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		4.3 V @ 12 A	95 ns	10 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZX84C11-HE3-08	0.0323	RFQ	1216	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C11		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
MBRB20H45CThe3/45	-	RFQ	7357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	10A	630 MV @ 10 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5228B-G3-18	-	RFQ	1504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
V35PWM153-M3/I	1.1500	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.05 V @ 35 A		200 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	35a	1420pf @ 4V, 1MHz
VLZ9V1B-GS08	-	RFQ	1388	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ9V1		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 8.14 V						8.76 V	8 ohmios
MMSZ5244B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	2040	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5244B-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 10 V						14 V	15 ohmios
SE20AFB-M3/6B	0.1058	RFQ	6309	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SE20	Estándar		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	12PF @ 4V, 1MHz
Smzj3798bhm3_b/i	0.1500	RFQ	9271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3798		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SMZJ3798BHM3_B/ITR	EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 18.2 V						24 V	19 ohmios
VSSAF3L63-M3/H	0.4800	RFQ	1996	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	VSSAF3L63	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		540 MV @ 3 A		70 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2.5a	680pf @ 4V, 1MHz
VF20M120C-M3/4W	0.6643	RFQ	9575	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF20M120	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	10A	910 MV @ 10 A		700 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C