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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MMBZ5257B-G3-08	-	RFQ	5907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5257		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
GDZ15B-HE3-08	0.2800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ15		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 11 V				15 V	42 ohmios
GP02-30-M3/54	-	RFQ	7100	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 3000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
FES8BT-E3/45	1.1900	RFQ	814	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZW03D9V1-TR	-	RFQ	9934	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.2 v @ 1 a		40 µA @ 6.5 V				9.1 V	2 ohmios
SML4760AHE3_A/I	0.2063	RFQ	8481	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4760		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 51.7 V				68 V	150 ohmios
V15km120chm3/i	0.4701	RFQ	7457	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V15KM120CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	120 V	4.2a	830 MV @ 7.5 A		600 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
MBR7H35-E3/45	-	RFQ	7508	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR7	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5a	-
EGP20A-E3/54	0.8600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	EGP20	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 2 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	70pf @ 4V, 1MHz
BZG05B68-HM3-18	0.2079	RFQ	5632	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B68		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 51 V				68 V	130 ohmios
VS-MBRB2080CTLHM3	1.0190	RFQ	4893	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB2080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 80 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR4045CT-M3	0.8210	RFQ	5523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR4045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	780 MV @ 40 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Smzj3791bhe3_a/h	0.1597	RFQ	9352	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3791		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750								5 µA @ 9.1 V				12 V	7 ohmios
SML4759-E3/61	0.4800	RFQ	4681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4759		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800								5 µA @ 47.1 V				62 V	125 ohmios
V8PL63-M3/H	0.6500	RFQ	1726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8PL63	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		580 MV @ 8 A		180 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	1400pf @ 4V, 1MHz
EGF1CHE3/5CA	-	RFQ	1073	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214BA	EGF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3803AHE3/5B	-	RFQ	1345	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ38		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 29.7 V				39 V	45 ohmios
VS-78-4789PBF	-	RFQ	2379	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					78-4789				-				112-VS-78-4789PBF			1
Rs2a-e3/52t	0.1521	RFQ	5095	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	RS2A	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
ZGL41-190A-E3/96	0.2020	RFQ	4620	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	ZGL41		1 W	GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 144.4 V				190 V	1050 ohmios
RGP02-12E-E3/54	0.3900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
VS-VSKD196/08PBF	64.0187	RFQ	5099	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKD196	Estándar		Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskd19608pbf	EAR99	8541.10.0080	15		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	800 V	97.5a			20 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
V6PWM45CHM3/I	0.3496	RFQ	8614	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V6PWM45CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	3A	590 MV @ 3 A		25 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
CS2G-E3/H	-	RFQ	3189	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	CS2	Estándar		DO-214AA (SMB)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	12PF @ 4V, 1MHz
VS-10ETF12SPBF	-	RFQ	7588	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ETF12	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS10ETF12SPBF	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.33 v @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
AS1FJ-M3/H	0.4400	RFQ	18	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 1.5 A	1.3 µs	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	8.8pf @ 4V, 1MHz
VS-60CTQ040-M3	1.4522	RFQ	2460	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	60ctq040	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	30A	720 MV @ 60 A		2 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C
DZ23C7V5-G3-08	0.0483	RFQ	5930	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 5 V				7.5 V	7 ohmios
1N4736A-TR	0.3700	RFQ	52	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4736		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
SSC54-E3/57T	0.5900	RFQ	63	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SSC54	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-