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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-15AWL06FNTRR-M3 | 0.6181 |  | 4280 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15awl06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs15awl06fntrrm3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 15 a | 120 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||
 | ESH3D-M3/9AT | 0.2454 | | 8687 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ESH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SL22HE3/52T | - | | 8237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SL22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 440 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
 | VS-10TQ035-N3 | - | | 6328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 10TQ035 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS10TQ035N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 570 MV @ 10 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||
 | SMAZ5936B-M3/61 | 0.1073 | | 3153 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5936 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||||
 | Byt54g-tap | 0.2772 | | 7184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | Byt54 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 1 a | 100 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.25a | - | |||||||||
 | MMBZ5257B-G3-08 | - | | 5907 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||
 | GDZ15B-HE3-08 | 0.2800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ15 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohmios | ||||||||||||
 | GP02-30-M3/54 | - | | 7100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | FES8BT-E3/45 | 1.1900 | | 814 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Fes8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||
 | BZW03D9V1-TR | - | | 9934 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 40 µA @ 6.5 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||
| SML4760AHE3_A/I | 0.2063 | | 8481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4760 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||
 | V15km120chm3/i | 0.4701 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V15KM120CHM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 4.2a | 830 MV @ 7.5 A | 600 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
| MBR7H35-E3/45 | - | | 7508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR7 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 7.5a | - | ||||||||||
 | EGP20A-E3/54 | 0.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZG05B68-HM3-18 | 0.2079 | | 5632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05B68 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 51 V | 68 V | 130 ohmios | |||||||||||
 | VS-MBRB2080CTLHM3 | 1.0190 | | 4893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB2080 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | VS-MBR4045CT-M3 | 0.8210 | | 5523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR4045 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 780 MV @ 40 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | Smzj3791bhe3_a/h | 0.1597 | | 9352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3791 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||
| SML4759-E3/61 | 0.4800 | | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4759 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||
 | V8PL63-M3/H | 0.6500 | | 1726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8PL63 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 8 A | 180 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | 1400pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | EGF1CHE3/5CA | - | | 1073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214BA | EGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SE30AFGHM3/6A | 0.4900 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SE30 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 19PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SMZJ3803AHE3/5B | - | | 1345 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||
 | VS-78-4789PBF | - | | 2379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 78-4789 | - | 112-VS-78-4789PBF | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| Rs2a-e3/52t | 0.1521 | | 5095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | RS2A | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | ZGL41-190A-E3/96 | 0.2020 | | 4620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZGL41 | 1 W | GL41 (DO-213AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 144.4 V | 190 V | 1050 ohmios | |||||||||||
| RGP02-12E-E3/54 | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||
 | VS-VSKD196/08PBF | 64.0187 | | 5099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak | VSKD196 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsvskd19608pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 800 V | 97.5a | 20 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | V6PWM45CHM3/I | 0.3496 | | 8614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Delgada | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-V6PWM45CHM3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 3A | 590 MV @ 3 A | 25 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C |
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