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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V10PWM60-M3/I	0.3036	RFQ	5355	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10PWM60-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		610 MV @ 10 A		400 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	1580pf @ 4V, 1MHz
TZM5253C-GS18	-	RFQ	4060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5253		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 19 V						25 V	35 ohmios
SB130-E3/54	0.4200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB130	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		480 MV @ 1 A		500 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
Byg22dhm3_a/i	0.2251	RFQ	6329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
BYM12-100-E3/97	0.1487	RFQ	9229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	BYM12	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
SS12P4CHM3/87A	-	RFQ	5545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P4	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	6A	520 MV @ 6 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C
1N5624GPHE3/54	-	RFQ	1765	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5624	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
BZG03C11-M3-08	0.5000	RFQ	2419	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.45%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C11		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 V @ 500 Ma		4 µA @ 8.2 V						11 V	7 ohmios
BZX85B33-TAP	0.3800	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B33		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 24 V						33 V	35 ohmios
2KBP005M-E4/51	-	RFQ	6541	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	2KBP005	Estándar		KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600						1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 50 V		2 A		Fase única	50 V
Zpy5v1-tap	0.3700	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy5v1		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 700 mv						5.1 V	2 ohmios
FGP30che3/73	-	RFQ	1666	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FGP30	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA16TA60C-N3	-	RFQ	8061	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	HFA16	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-HFA16TA60C-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	8A	1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V
BA159-E3/73	0.3300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA159	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
VS-4CSH02-M3/87A	0.2176	RFQ	4840	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	4CSH02	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	2a	950 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-MUrB1020CTHM3	0.7613	RFQ	7274	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1020	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	990 MV @ 5 A	24 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-VS38ESR16M	-	RFQ	4178	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS38				-				112-vs-vs38esr16m			1
VS-100BGQ015HF4	4.6476	RFQ	3265	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Monte del Chasis	POWERTAB®	100BGQ015	Schottky		POWERTAB®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS100BGQ015HF4	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		520 MV @ 100 A		18 mA @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	100A	3800pf @ 5V, 1MHz
VS-E4PH3006L-N3	1.1872	RFQ	3818	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	E4PH3006	Estándar		Un 247ad	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2 V @ 30 A	55 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
MMBZ5230B-G3-18	-	RFQ	1757	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5230		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 2 V						4.7 V	19 ohmios
BZG05B11-HM3-18	0.2079	RFQ	8264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Bzg05b11		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 8.2 V						11 V	8 ohmios
VS-88-6397	-	RFQ	6541	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					88-6397				-				112-VS-88-6397			1
AZ23C18-HE3_A-08	-	RFQ	1973	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23C18-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							50 na @ 12.6 V						18 V	45 ohmios
RGP10DHM3/54	-	RFQ	7603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
TLZ9V1C-GS08	0.2500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ9V1		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 8.39 V						9.1 V	8 ohmios
VS-VSKDS408/060	51.8890	RFQ	3879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKDS408	Schottky		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKDS408060	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	100A	740 MV @ 200 A		2.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UH4PDC-M3/87A	-	RFQ	1211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	2a	1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZX84B3V0-E3-18	0.0324	RFQ	9970	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V0		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 1 V						3 V	95 ohmios
TZQ5221B-GS08	0.0411	RFQ	6728	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5221		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
EGP30D-E3/54	-	RFQ	7014	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	EGP30	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-