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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-MBR2090CT-1-M3 | 0.8705 |  | 5904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | MBR2090 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
 | LL101C-GS18 | 0.0580 | | 4084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | LL101 | Schottky | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 900 MV @ 15 Ma | 1 ns | 200 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 30mera | 2.2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | SS26-E3/51T | - | | 7369 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | |||||||||||||
 | VLZ6V8B-GS08 | - | | 9502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ6V8 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 7.39 V | 7.99 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
 | PLZ4V7C-G3/H | 0.2800 | | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.6% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ4V7 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.81 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
| PLZ9V1A-G3/H | 0.2800 | | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.59% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ9V1 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 8.51 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
 | SE20DLGHM3/I | 1.7200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 20 A | 330 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3.9a | 160pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
 | BZX384B18-G3-08 | 0.0445 | | 3899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B18 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | |||||||||||||||
 | 60CPF12 | - | | 5286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60CPF12 | Estándar | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.4 V @ 60 A | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||||
 | 12CTQ040 | - | | 2812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 12ctq | Schottky | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 600 MV @ 6 A | 800 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
 | VS-15EWH06FNTRR-M3 | 0.6181 | | 4113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS15EWH06FNTRRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 v @ 15 a | 36 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||
| VS-62CTQ030-N3 | - | | 4198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 62CTQ030 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-62CTQ030-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 60A | 600 MV @ 60 A | 2.5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
 | VS-VS38DSR16M | - | | 5177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | VS38 | - | 112-VS-VS38DSR16M | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C3V9-G3-08 | 0.0409 | | 3214 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C3V9 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3.9 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N5257B-T | - | | 2385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5257 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 700 ohmios | |||||||||||||||
 | ESH2PC-E3/84A | - | | 9136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| SD103CWS-HE3-18 | 0.0606 | | 6946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||
| Irke56/08a | - | | 4404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (2) | Irke56 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 10 Ma @ 800 V | 60A | - | |||||||||||||||
 | BZG04-9V1-HM3-18 | 0.2079 | | 9481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-9V1 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 9.1 V | 11 V | |||||||||||||||
 | BZD27C24P-HE3-08 | 0.1536 | | 4538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
 | BY500-800-E3/73 | - | | 7472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY500 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.35 v @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 800 V | 125 ° C (Máximo) | 5A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | DZ23C22-HE3-08 | 0.0436 | | 6194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||
| BZG05C62-HM3-08 | 0.4200 | | 874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C62 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||
| BZX55C10-TAP | 0.2300 | | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C10 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| BZX84B4V3-G3-18 | 0.0389 | | 6876 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84b4v3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||
| Murs340she3_a/h | 0.1518 | | 6708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Murs340 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.45 v @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||
| 15CTQ045 | - | | 8817 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 15ctq | Schottky | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 7.5a | 550 MV @ 7.5 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
| VS-32CTQ030-N3 | - | | 5632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 32CTQ030 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS32CTQ030N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 30A | 580 MV @ 30 A | 1.75 Ma @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
| SML4738A-E3/5A | 0.1815 | | 2497 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4738 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||
 | VS-KBPC801PBF | 3.1900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | VS-KBPC8 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, D-72 | KBPC801 | Estándar | D-72 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V |
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