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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | MBRB20H100CT/45 | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ040PBF | - | ![]() | 2110 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30CTQ040 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | S1PKHM3/84A | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | GP10V-M3/73 | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-40L15CW-N3 | 3.0466 | ![]() | 8297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 40L15 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS40L15CWN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 520 MV @ 40 A | 10 Ma @ 15 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-40CTQ045PBF | - | ![]() | 9367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40ctq045 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 530 MV @ 20 A | 3 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | TZMB43-GS18 | 0.0411 | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMB43 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5257C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5257C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C51-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C51 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 38 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-4CSH02-M3/86A | 0.6000 | ![]() | 550 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 4CSH02 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 2A | 950 MV @ 2 A | 16 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | GDZ18B-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 5945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ18 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5234C-HE3-08 | 0.3400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-60EPF04PBF | - | ![]() | 8174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To-247-2 | 60epf04 | Estándar | To47ac modificado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 60 A | 180 ns | 100 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4151W-E3-18 | 0.0342 | ![]() | 1174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | 1N4151 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TZX20C-TR | 0.2300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx20 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15 V | 20 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKV105/16 | 45.7340 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKV105 | Ánodo Común: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKV10516 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.6 kV | 165 A | 2.5 V | 2000a, 2094a | 150 Ma | 105 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||
![]() | 8ews16strl | - | ![]() | 5404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ews16 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.1 v @ 8 a | 50 µA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB745HE3_B/I | 0.6765 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB745 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4698-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4698 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 8.4 V | 11 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 43ctq100strl | - | ![]() | 8984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03B100-M3-08 | 0.2228 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B100 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T70RIA100 | 33.7470 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | D-55 | T70 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1 kV | 110 A | 2.5 V | 1660a, 1740a | 120 Ma | 70 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST180S12P1V | 125.2350 | ![]() | 2185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Chasis, Soporte de semento | TO-209AB, TO-93-4, Stud | ST180 | TO-209AB (TO-93) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST180S12P1V | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.2 kV | 314 A | 3 V | 4200A, 4400A | 150 Ma | 1.75 V | 200 A | 30 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||
HFA180MD60C | - | ![]() | 4943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | HFA180 | Estándar | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | - | 140 ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-68-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-68 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 68 V | 82 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SE70PB-M3/86A | 0.3787 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SE70 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.9a | 76pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRD340-M3 | 0.6500 | ![]() | 8929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD340 | Schottky | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 3 A | 200 µA @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | S1dhe3_a/h | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1D | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 203DMQ100PBF | - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | 203DMQ | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *203DMQ100PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 200a | 1.03 v @ 200 a | 3 Ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C68TR3 | - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 51 V | 68 V | 2000 ohmios |
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