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Productos de semiconductoros discretos (2437)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBU10005 | 0.4084 |  | 8316 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU10005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 50 V | 10 A | Fase única | 50 V | |||||||
| GBU1008 | 0.4084 | | 8093 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1008 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | |||||||
 | UG6KB10 | 0.2557 | | 5432 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG6KB10 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |||||||
 | GBJ2002 | 0.8320 | | 8422 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2002 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 200 V | 20 A | Fase única | 200 V | |||||||
| GBJ3502 | 1.0561 | | 4489 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ3502 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 35 A | 5 µA @ 200 V | 35 A | Fase única | 200 V | |||||||
 | GBPC25005 | 2.8059 | | 1269 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC25005 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | |||||||
| GBPC3504 | 2.9664 | | 7997 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC3504 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||
 | GBPC35005W | 2.8059 | | 2148 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC35005 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | |||||||
| GBPC3504W | 2.8059 | | 2741 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC3504 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||
 | ABF24 | - | | 9152 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | ABF24 | Estándar | Abf | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | ||||||||
 | Abdomen | 0.3500 | | 35 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Abdomen | Estándar | Abdomenal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | |||||||
| FTB6F-15F | 0.4200 | | 13 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FTB6F-15 | Estándar | Abf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.3 V @ 1.5 A | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |||||||
 | Db157s | 0.3900 | | 9 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DB157 | Estándar | DB-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 A | Fase única | 1 kV | |||||||
 | DB157 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | DB157 | Estándar | DB-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 1.5 A | Fase única | 1 kV | |||||||
 | KBP310G | 0.4500 | | 7 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | KBP310 | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | |||||||
| UG4KB100 | 0.5600 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG4KB100 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | |||||||
| GBU1010 | 0.9600 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1010 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | |||||||
| Gbu406g | 0.7400 | | 40 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU406 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | |||||||
| GBU410 | 0.6900 | | 971 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU410 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | |||||||
| GBJ1506 | 1.2000 | | 61 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1506 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | |||||||
| GBJ2006 | 1.2600 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2006 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 600 V | 20 A | Fase única | 600 V | |||||||
| GBJ3506 | 1.6200 | | 19 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ3506 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 5 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | ||||||||
| GBJ610 | 0.8800 | | 84 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ610 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | |||||||
| GBPC2506 | 3.8100 | | 68 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||
| GBPC2506W | 3.6000 | | 231 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2506 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | |||||||
| GBPC3510 | 4.0300 | | 71 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC3510 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | |||||||
 | S3d06065i | 2.6700 | | 901 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Pestaña aislada de 220-2 | S3D06065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-isolación | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S3D06065i | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 8 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 382pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | S3D10065G | 3.5300 | | 496 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | S3D10065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 621pf @ 0V, 1MHz | |||||
 | KMB120S | - | | 7671 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Schottky | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-kmb120s | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 900 MV @ 1 A | 50 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||
 | SS110 | 0.2100 | | 69 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | * | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 1 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 35pf @ 4V, 1MHz |
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