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Productos de semiconductorores discretos (32)

Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Ecada	Cantidad Disponible	Peso (kg)	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
	2n222222aubtxv	-	RFQ		8424	0.00000000	TT Electronics/Optek Technology	-	Una granela	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Clcc	2N2222		300 MW	4-CLCC (3.05x2.415)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	1											50 V	800 Ma	10NA (ICBO)	NPN	1V @ 15 Ma, 500 Ma	75 @ 1 MMA, 10V	-
	HCT7000MTX	36.5970	RFQ		6582	0.00000000	TT Electronics/Optek Technology	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	HCT7000	Mosfet (Óxido de metal)		3-SMD	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	100	N-canal	60 V	200MA (TA)	10V	5ohm @ 500 mA, 10V	3V @ 1MA	± 40V	60 pf @ 25 V	-	300MW (TA)