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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LD32640B-25BL-TR | 9.1350 |  | 7997 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS42S16800E-6BL | - | | 7063 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - | ||
 | IS25LP040E-JNLA3 | 0.5163 | | 5187 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP040E-JNLA3 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 8 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 1.2 ms | |||||
 | IS62WV51216EALL-55TLI-TR | 4.9550 | | 5796 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62WV51216 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| IS42VM16800G-6BL-TR | - | | 2509 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42VM16800 | Sdram - móvil | 1.7V ~ 1.95V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - | ||
 | IS43R86400F-5TLI | 7.6300 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1553 | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | IS43TR16640C-125JBLI | 4.4000 | | 186 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR16640C-125JBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3.3300 | | 390 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS66WVS2M8 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | Volante | 16mbit | 7 ns | Psram | 2m x 8 | SPI, QPI | - | |
 | IS62WV102416GALL-55TLI-TR | 8.7750 | | 2636 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | IS62WV102416 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | IS42S86400F-7TL-TR | 10.9500 | | 6137 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S86400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | - | ||
| IS43LD16128B-18BL | 10.5339 | | 1206 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD16128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 2.1457 | | 2540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 3.000 | 104 MHz | Volante | 16mbit | 7 ns | Psram | 2m x 8 | SPI, QPI | - | |||||
 | IS61DDB42M36A-300M3L | 74.4172 | | 9459 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61DDB42 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
| IS43TR82560D-107MBL-TR | 4.0485 | | 7575 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR82560D-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||||
 | IS45S32400F-7BLA2 | 7.8582 | | 9928 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | ||
 | IS61LPS51218A-200TQI-TR | - | | 5992 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPS51218 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.1 NS | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
| IS61LPS25636A-200TQLI | 16.0200 | | 22 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPS25636 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.1 NS | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | IS43TR85120BL-107MBLI | - | | 1024 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR85120BL-107MBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | IS62WV5128BLL-55T2I | - | | 1365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62WV5128 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 32-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 117 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | IS41LV16105B-50KLI-TR | - | | 2162 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 42-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3.6V | 42-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | Volante | 16mbit | 25 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | |||
 | IS61NVF102418-6.5B3-TR | - | | 4199 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NVF102418 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
 | IS62WV2568BLL-55BLI | 2.3481 | | 7157 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-TFBGA | IS62WV2568 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | IS42S32400F-6TL | 4.2963 | | 4896 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | ||
 | IS61WV51216Edall-20bli | 12.1000 | | 9506 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS61WV51216 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI | 4.7200 | | 20 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1547 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | IS43QR16512A-083TBLI | 18.9660 | | 2909 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43QR16512A-083TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| IS43TR16512BL-107MBL | 25.4700 | | 389 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR16512BL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| IS43TR16256Al-15HBL | - | | 9963 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| IS61DDB42M18-250M3L | - | | 2457 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61DDB42 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volante | 36 mbit | 5.85 ns | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | ||
 | IS25WP128-RGLE-TR | - | | 3341 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WP128 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs |
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