SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25Q40ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q40etjgr 0.3640
RFQ
ECAD 9044 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25q40etjgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 4mbit 7 ns Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD25LF128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf128eqigr 1.4109
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) descascar 1970-gd25lf128eqigrtr 3.000 166 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25wd10ctig -
RFQ
ECAD 5574 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25WD10 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25VE20 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25F128FSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FSIGR 1.3198
RFQ
ECAD 2850 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-gd25f128fsigrtr 2,000 200 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O -
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f2gq4uf9igr -
RFQ
ECAD 4326 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vlga GD5F2GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-LGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O 700 µs
GD9FS2G6F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G6F2Amgi 4.7450
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I descascar 1970-GD9FS2G6F2Amgi 960 No Volátil 2 GBIT 20 ns Destello 128m x 16 Onde 25ns
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25uf64eqigr 1.0390
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.14V ~ 1.26V 8-Uson (4x4) - 1970-gd25uf64eqigrtr 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, DTR -
GD55WR512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR512Meyigy 4.8228
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD55WR512Meyigy 4.800 104 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q64ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64esjgr 0.8705
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25q64esjgrtr 2,000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq4ucyigr -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F4GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O
GD25LQ255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq255ewigr 3.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 256Mbit 6 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25F128FS2GRTR 2,000 200 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O -
GD55LT01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01 Gebario 18.5000
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lt Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT01 Gebario 4.800 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I descascar 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 No Volátil 1 gbit 16 ns Destello 128m x 8 Onde 20ns, 600 µs
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEFARR 11.5349
RFQ
ECAD 2693 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25X Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-gd25x512mefarrtr 1,000 200 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - E/S Octal -
GD25F256FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25f256fwigr 2.3373
RFQ
ECAD 4694 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) - 1970-gd25f256fwigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LE16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le16etigrig 0.5242
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP - 1970-gd25le16etigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD55X01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEB2RY 20.2027
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55X Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-gd55x01geb2ry 4.800 200 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - E/S Octal, DTR -
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb256ebiry 2.3562
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) descascar 1970-gd25lb256ebiry 4.800 166 MHz No Volátil 256Mbit 6 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 70 µs, 1.2 ms
GD9FS4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3AMGI 6.9852
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I descascar 1970-gd9fs4g8f3amgi 960 No Volátil 4 gbit 22 ns Destello 512m x 8 Onde 25ns
GD55T01GEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01Gey2GR 16.7580
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55t Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd55t01gey2grtr 3.000 200 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O, DTR -
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) - 1970-GD25LQ256DWAGY 5.700 104 MHz No Volátil 256Mbit 6 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 4ms
GD25LQ255EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq255ebiry 2.2364
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) descascar 1970-gd25lq255ebiry 4.800 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI -
GD25LQ16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETJGR 0.6115
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar 1970-gd25lq16etjgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25WQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Enigr 0.8999
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-Uson (3x4) descascar 1970-GD25WQ64Enigrtr 3.000 104 MHz No Volátil 64 Mbbit 12 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 120 µs, 4 ms
GD55LB01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01 Gebario 16.3989
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lb Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LB01 Gebario 4.800 133 MHz No Volátil 1 gbit 6 ns Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 140 µs, 2 ms
GD9FS2G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3Algi 4.7455
RFQ
ECAD 9598 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) descascar 1970-GD9FS2G8F3Algi 2,100 No Volátil 2 GBIT 20 ns Destello 256m x 8 Paralelo 25ns
GD5F4GQ6REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq6reyigr 6.7891
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f4gq6reyigrtr 3.000 80 MHz No Volátil 4 gbit 11 ns Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O 600 µs
GD25WQ16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25WQ16esigr 0.5387
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-GD25WQ16SIGRTR 2,000 104 MHz No Volátil 16mbit 12 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 120 µs, 4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock