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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25b128ewigy | 1.2342 |  | 2947 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25b128ewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25F64FQ2GR | 1.5077 | | 3349 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x4) | - | 1970-GD25F64FQ2GRTR | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25B32Esagr | 1.0363 | | 6446 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25b32esagrtr | 2,000 | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| GD9FS4G8F2Amgi | 6.9852 | | 1155 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FS4G8F2Amgi | 960 | No Volátil | 4 gbit | 22 ns | Destello | 512m x 8 | Onde | 25ns | ||||||||
 | GD25VE16CSIG | - | | 8920 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VE16 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd55lt512webiry | 5.4414 | | 5146 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd55lt512webiry | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1.2 ms | ||||||||
| GD25LQ20EGIG | 0.3515 | | 2521 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LQ20EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
 | GD25LQ05CEIGR | - | | 9229 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LQ05 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 512 kbit | Destello | 64k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LQ64EQEGREG | 1.2496 | | 5677 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-gd25lq64eqegrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| GD25Q127CSIG | 1.2501 | | 4780 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LQ128EQEGN | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ128EQEGRTRTRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | |||||||
| Gd25lq16ligr | 0.7052 | | 3049 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | GD25LQ16 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-WLCSP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25lb512mebiry | 4.6550 | | 1734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-GD25LB512Mebiry | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25LQ32ENAGR | 1.2776 | | 5397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | - | 1970-GD25LQ32Enagrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| GD25WD20CKIGR | 0.3619 | | 9413 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-GD25WD20CKIGRTR | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 2 mbit | 12 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||||||
| GD25F256FB2RY | 3.4593 | | 6033 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25Q64CSIG | 0.7583 | | 3050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25wd80etigy | 0.3640 | | 4418 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25wd80etigy | 4,320 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD25Q256EWJGR | 2.8771 | | 5497 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25q256ewjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25WD40 CEIGR | 0.3752 | | 7679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25WD40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| Gd25q80etigrig | 0.5500 | | 16 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
 | Gd25q127cfigr | 2.2000 | | 6 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
| GD25VQ16CEIGR | - | | 6231 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25VQ16 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd25ld20cuigr | - | | 7417 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LD20 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||
| GD25VQ40CEIGR | - | | 6660 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25VQ40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd55lx512webiry | 7.2778 | | 5998 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lx | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd55lx512webiry | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal, DTR | 50 µs, 1.2 ms | ||||||||
| Gd25lq20esigr | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lq20esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD5F4GQ6UEY2GY | 10.4671 | | 1509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f4gq6uey2Gy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 1g x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25Q127CSIGR | 1.9600 | | 2 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
 | Gd25lq16cnigr | 1.0600 | | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | GD25LQ16 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms |
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