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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LQ80EEGIG | 0.4368 |  | 6050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LQ80EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25q64esigy | 0.6954 | | 2778 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q64esigy | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd5f4gq6ueyigr | 6.6560 | | 3321 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gq6ueyigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||
| Gd25lq32ewigr | 1.1600 | | 7325 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LE128EWJGR | 1.7013 | | 2726 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25le128ewjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25lq32esjgr | 0.7090 | | 7409 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lq32esjgrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25lf32esigr | 0.6552 | | 8715 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lf32esigrtr | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 32Mbit | 5.5 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| GD5F2GQ5UEY2GY | 6.1712 | | 3843 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f2gq5uey2Gy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||
| Gd55lt01gefirr | 11.1486 | | 4318 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-gd55lt01gefirrtrtrtrtr | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||||||
| GD25WQ20EGIG | 0.3786 | | 8440 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WQ20EEGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 7 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||
| Gd25lq80etigrig | 0.3786 | | 9730 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lq80etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd5f4gm8rewigy | 6.2510 | | 1422 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f4gm8rewigy | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 1g x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||
| Gd25lf255esigr | 2.1993 | | 5473 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lf255esigrtr | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| GD25WD40EIGR | 0.3619 | | 8680 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WD40EEGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||
| GD25Q80AGRAGR | 0.7134 | | 9852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25Q80EEAGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||
| GD25LB512Me3IRR | 4.8056 | | 4077 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25lb512me3irrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| Gd25q64ezigy | 0.8923 | | 9870 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd25q64ezigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25b128esigy | 1.1590 | | 1482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25b128esigy | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25lr64esigr | 1.2215 | | 1157 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lr64esigrtr | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||
| GD25WQ64EQEGREG | 1.2917 | | 7123 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25WQ64EQeGrtr | 3.000 | 84 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms | |||||
| Gd25q64engr | 1.1317 | | 4773 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25q64engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||
| GD25B512Mefirr | 4.4984 | | 3661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | 1970-gd25b512mefirrtr | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| GD25F256Fyagy | 4.1496 | | 4239 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25F256Fyagy | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||
| GD25LT512Mey2GR | 8.8525 | | 7207 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25lt512mey2grtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| Gd25b512mebiry | 4.0905 | | 2065 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd25b512mebiry | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| GD25F64FS2GR | 1.3198 | | 4848 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64FS2GRTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||
| Gd25r64yigr | 1.2272 | | 9905 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25R64Eyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||
| GD9FU8G8E3AMGI | 14.7368 | | 4073 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FU8G8E3AMGI | 960 | No Volátil | 8 gbit | 18 ns | Destello | 1g x 8 | Onde | 20ns | ||||||
| GD55B01GEB2RY | 13.2000 | | 1887 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55B01GEB2RY | 8542.32.0071 | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||||
| Gd55r512meyigy | 4.6550 | | 3570 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd55r512meyigy | 4.800 |
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