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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KIA78L12BP | - |  | 3569 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D748CFNAG, C, EB | - | | 8057 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6614fng, c, el | - | | 4247 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TB6614 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1A | 2.5V ~ 13.5V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF10, LM (CT | 0.3300 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF10 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1V | - | 1 | 0.77V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L009AP, F (J | - | | 6702 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L009 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 9V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 44dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE31, LM (CT | 0.0680 | | 4405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE31 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE115, LM (CT | 0.0742 | | 6644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 1.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S18U (TE85L, F) | 0.4700 | | 388 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s18 | 15V | Fijado | UFV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | - | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK108AF, LF | 0.4800 | | 85 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK108 | Invertido | Canal P | 1: 1 | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 63mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN36, LF | 0.3600 | | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN36 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05CP, 6KEHF (M | - | | 2213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG11, LF | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG11 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP, WNLF (J | - | | 9521 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L012 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 41dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE085, LM (CT | 0.0742 | | 7723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.85V | - | 1 | 1.58v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05BP, F (J | - | | 3395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78DL05PI | - | | 3058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6642ftg, 8, el | 2.3700 | | 2373 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TB6642 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 32-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9120AFTG (EL) | 4.0100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición de 28 vqfn | TB9120 | NMOS, PMOS | 4.5V ~ 7V, 7V ~ 18V | 28-vqfn (6x6) | - | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Preconductor - Medio Puente (4) | 2.5a | - | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L15S, Q (J | - | | 6463 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L15 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.4 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 15V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76432As, T6F (J | - | | 3225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM12A, L3F | 0.4900 | | 2328 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM12 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.2V | - | 1 | 0.26V @ 800 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG19, LF | 0.1394 | | 5190 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.17V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, HOTIF (M | - | | 7090 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L09S, LS2PAIQ (J | - | | 1483 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L09 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 9V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF27, LM (CT | 0.0906 | | 6228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF27 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.7V | - | 1 | 0.31V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S539SFTG, EL | 0.8343 | | 1329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | DMOS | 4.5V ~ 33V | 32-vqfn (5x5) | descascar | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Lógica | Medio Puente (4) | 1.8a | 4.5V ~ 33V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE19, LM (CT | 0.0680 | | 4290 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DG35, LF | 0.1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.215V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN36, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA4800AF (T6L1, Q) | - | | 6637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA4800 | 16 V | Atenuable | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 1.5V | 9V | 1 | 0.5V @ 500 Ma | 63dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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