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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TBD62003AFNG, EL | 1.1000 |  | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62003 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN25, LF | 0.0896 | | 8573 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN25 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.5V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62308AFAG, EL | 1.1900 | | 1058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | - | TBD62308 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 4 | - | Lado Bajo | 370mohm | 50V (Máximo) | Propósito general | 1.5a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA7291P (O) | - | | 3971 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 10 sorbo | TA7291 | Bipolar | 4.5V ~ 20V | 10-Vesas | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 22 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1A | 0V ~ 20V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF45, LM (CT | 0.3400 | | 795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF45 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 4.5V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L12PF (TE85L, F) | - | | 9901 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TA78L12 | 35V | Fijado | PS-8 (2.9x2.4) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 6 MA | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 2V @ 150MA (typ) | 41dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb6603ftg, 8, el | - | | 9832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TB6603 | - | - | 36-Qfn (6x6) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | - | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | 30V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L007AP, F (J | - | | 6232 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L007 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 7V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 46dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7100AF (TE12L, Q) | - | | 4873 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 800 kHz | Positivo | Si | 2.5a | 0.8V | 5.5V | 2.7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L08S (FJTN, QM) | - | | 1610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L08 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 8V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78S121FTG, EL | 3.1400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TC78S121 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 2a | 8V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM08A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.8V | - | 1 | 0.21V @ 800 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF27, LM (CT | 0.0906 | | 6228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF27 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.7V | - | 1 | 0.31V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, T6WNF (J | - | | 9553 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFG | - | | 3773 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62747afnag, el | - | | 7768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lineal | TB62747 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 45mA | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s549ftg, el | 1.9800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 vfqfn | TB67S549 | DMOS | 4.5V ~ 33V | 24-Qfn (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (2) | 1.2a | 4.5V ~ 33V | Bipolar | DC Cepillado | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6560AFG, 8 | 3.8200 | | 5140 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 64-tqfp exposición | TB6560 | 4.5V ~ 5.5V | 64-HQFP (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 4.5V ~ 34V | Bipolar | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6642ftg, 8, el | 2.3700 | | 2373 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TB6642 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 32-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UF18A, LM (CT | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3UF18 | 5.5V | Fijado | SMV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR3UF18Alm (CT | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 680 na | - | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.464V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN19, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62308AFG, EL | 1.6600 | | 5343 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | - | TBD62308 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.500 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 4 | - | Lado Bajo | 370mohm | 50V (Máximo) | Propósito general | 1.5a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM09A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.9V | - | 1 | 0.22V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN32, LF | 0.0896 | | 9032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN32 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM33A, LF | - | | 3988 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM33 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tar5s28ute85lf | 0.1804 | | 8097 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | TAR5S28 | 15V | Fijado | UFV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D748CFG, C, EL, B | - | | 5590 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D748 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG33, LF | 0.5100 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG33 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 420 mm | 3.3V | - | 1 | 0.263V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN30, LF | 0.0896 | | 9513 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN30 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP (6TOJ, AF | - | | 4697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L012 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 41dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE |
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