SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Corriente - Salida / Canal TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Interruptor interno (s) Topología Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida Tipo de interruptor Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48033BF (T6L1, NQ) -
RFQ
ECAD 2334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA48033 16 V Fijado Moldeado - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma - Positivo 1A 3.3V - 1 0.69V @ 1a (typ) 62dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TBD62308AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFG, EL 1.6600
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor - TBD62308 Invertido N-canal 1: 1 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 4.5V ~ 5.5V Encendido/apaguado 4 - Lado Bajo 370mohm 50V (Máximo) Propósito general 1.5a
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG, LF 0.4800
RFQ
ECAD 277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada TCK107 No Invierte Canal P 1: 1 4-WCSPD (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 34mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 1A
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG, EL 0.6922
RFQ
ECAD 8459 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78B006 Potencia Mosfet 3.5V ~ 16V 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección PWM Pre -conductor - Medio Puente (2) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TA76432AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432As, T6F (J -
RFQ
ECAD 3225 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76432 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR5AM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12, LF 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM12 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA Permiso Positivo 500mA 1.2V - 1 0.27V @ 500 Ma 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, WNLF (J -
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L012 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 12V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 41dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12, L3F 0.1538
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR8BM12 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800 Ma 98dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FNG, EL 2.2800
RFQ
ECAD 5177 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) TB67B008 Potencia Mosfet 5.5V ~ 22V 24-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (3) 3A 5.5V ~ 22V - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295, LM (CT 0.0680
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE295 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.95V - 1 0.23V @ 150 mm 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE32, LM (CT 0.0762
RFQ
ECAD 7556 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE32 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.2V - 1 0.3V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TC78S122FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FTG, EL 1.5754
RFQ
ECAD 6970 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TC78S122 Potencia Mosfet 4.5V ~ 5.5V 48-Qfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (8) 2A 8V ~ 38V Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/4
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41, LM (CT 0.3500
RFQ
ECAD 233 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE41 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 4.1V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105, LF -
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN105 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.05V - 1 1.38v @ 150 mA - SOBRE LA CORRIENTE
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33, LF 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr4dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG33 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Permiso Positivo 420 mm 3.3V - 1 0.263V @ 420MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214Aftg, C8, EL 1.1958
RFQ
ECAD 9899 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB62214 DMOS 4.75V ~ 5.25V 48-Qfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ, LF 0.7000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR15AG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP TCR15 5.5V Atenuable 6-WCSPF (0.80x1.2) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 40 µA Permiso Positivo 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5a 95dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TA78L12 35V Fijado PS-8 (2.9x2.4) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 6 MA 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 12V - 1 2V @ 150MA (typ) 41dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG29A, LF 0.5300
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5RG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR5RG29 5.5V Fijado 4-WCSPF (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 13 µA - Positivo 500mA 2.9V - 1 - 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG, HZ 1.4900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62064 Invertido N-canal 1: 1 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 25 Sin requerido Encendido/apaguado 4 - Lado Bajo 430mohm 50V (Máximo) Propósito general 1.25a
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (6NETPP, AF -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2LF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF27, LM (CT 0.0721
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2LF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2LF27 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.7V - 1 0.38V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, Meidenf (M -
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG, C, EB -
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie 24-ssop (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Lineal TC62D748 - 24-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 90 Ma 16 Si Registro de Turno 5.5V - 3V 17 V
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291P (O) -
RFQ
ECAD 3971 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero Pestaña exposición de 10 sorbo TA7291 Bipolar 4.5V ~ 20V 10-Vesas - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 22 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (2) 1A 0V ~ 20V - DC Cepillado -
TC78B015AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015AFTG, EL 3.6300
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 36-vfqfn almohadilla exposición TC78B015 CMOS 6V ~ 30V 36-vqfn (5x5) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 5,000 Conductor PWM, Serie Medio Puente (3) 3A 36V Multifásico DC Sin Escobillas (BLDC) -
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105, LF 0.1344
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM105 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA Permiso Positivo 500mA 1.05V - 1 0.25V @ 500 mA 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TB9120AFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120AFTG (EL) 4.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Automotor Monte de superficie, Flanco Humectable Almohadilla exposición de 28 vqfn TB9120 NMOS, PMOS 4.5V ~ 7V, 7V ~ 18V 28-vqfn (6x6) - 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Preconductor - Medio Puente (4) 2.5a - Bipolar DC Cepillado 1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20, LF (SE 0.3800
RFQ
ECAD 228 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2V - 1 0.54V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6SOY, AF -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock